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IXFH12N80P

IXFH12N80P
Mfr. #:
IXFH12N80P
निर्माता:
Littelfuse
विवरण:
MOSFET DIODE Id12 BVdass800
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
IXFH12N80P डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFH12N80P DatasheetIXFH12N80P Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
थप जानकारी:
IXFH12N80P थप जानकारी
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
IXYS
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
प्वाल मार्फत
प्याकेज / केस:
TO-247-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
800 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
12 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
850 mOhms
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
30 V
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
360 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
व्यापार नाम:
HiPerFET
प्याकेजिङ:
ट्यूब
शृङ्खला:
IXFH12N80
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
ब्रान्ड:
IXYS
फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:
18 S
पतन समय:
25 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
26 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
30
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
70 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
23 ns
एकाइ वजन:
0.229281 oz
Tags
IXFH12N, IXFH12, IXFH1, IXFH, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
IXFH12N80P
DISTI # IXFH12N80P-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 800V 12A TO-247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$4.5540
IXFH12N80P
DISTI # 747-IXFH12N80P		IXYS CorporationMOSFET DIODE Id12 BVdass800
RoHS: Compliant		0
  • 1:$5.9200
  • 10:$5.2900
  • 25:$4.6000
  • 50:$4.5100
  • 100:$4.3400
  • 250:$3.7000
  • 500:$3.5100
  • 1000:$2.9600
  • 2500:$2.5400
छवि भाग # विवरण
IXFH12N100F

Mfr.#: IXFH12N100F

OMO.#: OMO-IXFH12N100F

 MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
IXFH110N15T2

Mfr.#: IXFH110N15T2

OMO.#: OMO-IXFH110N15T2

 MOSFET 110 Amps 150V
IXFH120N25T

Mfr.#: IXFH120N25T

OMO.#: OMO-IXFH120N25T

 MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs
IXFH18N65X2

Mfr.#: IXFH18N65X2

OMO.#: OMO-IXFH18N65X2

 MOSFET 650V/18A TO-247
IXFH1388B-3

Mfr.#: IXFH1388B-3

OMO.#: OMO-IXFH1388B-3-1190

 नयाँ र मौलिक
IXFH13N50

Mfr.#: IXFH13N50

OMO.#: OMO-IXFH13N50-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD
IXFH1711

Mfr.#: IXFH1711

OMO.#: OMO-IXFH1711-1190

 नयाँ र मौलिक
IXFH160N15T

Mfr.#: IXFH160N15T

OMO.#: OMO-IXFH160N15T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
IXFH120N25T

Mfr.#: IXFH120N25T

OMO.#: OMO-IXFH120N25T-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs
IXFH15N100

Mfr.#: IXFH15N100

OMO.#: OMO-IXFH15N100-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
3000
मात्रा प्रविष्ट गर्नुहोस्:
IXFH12N80P को हालको मूल्य सन्दर्भको लागि मात्र हो, यदि तपाइँ उत्तम मूल्य प्राप्त गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हाम्रो बिक्री टोली sales@omo-ic.com मा सोधपुछ वा प्रत्यक्ष इमेल पेश गर्नुहोस्।
सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
1
US$ ५.९२
US$ ५.९२
10
US$ ५.२९
US$ ५२.९०
25
US$ ४.६०
US$ ११५.००
50
US$ ४.५१
US$ २२५.५०
100
US$ ४.३४
US$ ४३४.००
250
US$ ३.७०
US$ ९२५.००
500
US$ ३.५१
US$ १ ७५५.००
1000
US$ २.९६
US$ २ ९६०.००
2500
US$ २.५४
US$ ६ ३५०.००
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