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IXFN34N80

IXFN34N80
Mfr. #:
IXFN34N80
निर्माता:
Littelfuse
विवरण:
MOSFET 34 Amps 800V 0.24 Rds
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
IXFN34N80 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
IXYS
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
चेसिस माउन्ट
प्याकेज / केस:
SOT-227-4
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
800 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
34 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
240 mOhms
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
600 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
व्यापार नाम:
HyperFET
प्याकेजिङ:
ट्यूब
उचाइ:
9.6 mm
लम्बाइ:
38.2 mm
शृङ्खला:
IXFN34N80
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
चौडाइ:
25.07 mm
ब्रान्ड:
IXYS
पतन समय:
40 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
45 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
10
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
100 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
45 ns
एकाइ वजन:
1.058219 oz
Tags
IXFN34, IXFN3, IXFN, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
***ark
MOSFET, N, SOT-227B; Transistor type:MOSFET; Current, Id cont:34A; Resistance, Rds on:0.24R; Case style:SOT-227B (ISOTOP); Current, Idm pulse:136A; Energy, avalanche repetitive Ear:64mJ; Energy, avalanche single pulse Eas:3J; Power RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, SOT-227B; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:800V; Current, Id Cont:34A; Resistance, Rds On:0.24ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:ISOTOP; Termination Type:Screw; Avalanche Single Pulse Energy Eas:3J; Current, Idm Pulse:136A; Max Repetitive Avalanche Energy:64mJ; Power Dissipation:600W; Power, Pd:600W; Resistance, Rds on Max:0.24ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Isolation:2500V; Voltage, Vds Max:800V; Voltage, Vgs th Max:5V; Weight:0.000036kg
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
IXFN34N80
DISTI # IXFN34N80-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 10:$30.7470
IXFN34N80
DISTI # 747-IXFN34N80		IXYS CorporationMOSFET 34 Amps 800V 0.24 Rds
RoHS: Compliant		0
  • 10:$30.7500
  • 30:$28.2600
  • 50:$27.0500
  • 100:$26.2600
  • 200:$24.1000
छवि भाग # विवरण
IXFN340N07

Mfr.#: IXFN340N07

OMO.#: OMO-IXFN340N07

 MOSFET HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A
IXFN82N60P

Mfr.#: IXFN82N60P

OMO.#: OMO-IXFN82N60P

 MOSFET DIODE Id82 BVdass600
IXFN64N60P

Mfr.#: IXFN64N60P

OMO.#: OMO-IXFN64N60P

 MOSFET 600V 64A
IXFN360N15T2

Mfr.#: IXFN360N15T2

OMO.#: OMO-IXFN360N15T2-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 150V 310A SOT227
IXFN40N110P

Mfr.#: IXFN40N110P

OMO.#: OMO-IXFN40N110P-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
IXFN240N25X3

Mfr.#: IXFN240N25X3

OMO.#: OMO-IXFN240N25X3-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B
IXFN48N55

Mfr.#: IXFN48N55

OMO.#: OMO-IXFN48N55-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B
IXFN50N120SK

Mfr.#: IXFN50N120SK

OMO.#: OMO-IXFN50N120SK-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH
IXFN52N90P

Mfr.#: IXFN52N90P

OMO.#: OMO-IXFN52N90P-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
IXFN64N50PD2

Mfr.#: IXFN64N50PD2

OMO.#: OMO-IXFN64N50PD2-IXYS-CORPORATION

 Discrete Semiconductor Modules 64 Amps 500V
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
4500
मात्रा प्रविष्ट गर्नुहोस्:
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सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
10
US$ ३०.७५
US$ ३०७.५०
30
US$ २८.२६
US$ ८४७.८०
50
US$ २७.०५
US$ १ ३५२.५०
100
US$ २६.२६
US$ २ ६२६.००
200
US$ २४.१०
US$ ४ ८२०.००
500
US$ २२.९४
US$ ११ ४७०.००
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