IXFR20N100P

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

IXYS

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

प्वाल मार्फत

प्याकेज / केस:

TO-247-3

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

1 kV

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

11 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

640 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

6.5 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

30 V

Qg - गेट चार्ज:

126 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

230 W

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

व्यापार नाम:

HiPerFET

प्याकेजिङ:

ट्यूब

उचाइ:

21.34 mm

लम्बाइ:

16.13 mm

शृङ्खला:

IXFR20N100

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 N-Channel

प्रकार:

ध्रुवीय शक्ति MOSFET HiPerFET

चौडाइ:

5.21 mm

ब्रान्ड:

IXYS

फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:

8 S

पतन समय:

45 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

37 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

30

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

56 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

40 ns

एकाइ वजन:

0.056438 oz

Tags

IXFR20N, IXFR20, IXFR2, IXFR, IXF