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IXTH04N300P3HV

IXTH04N300P3HV
Mfr. #:
IXTH04N300P3HV
निर्माता:
Littelfuse
विवरण:
MOSFET DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
IXTH04N300P3HV डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXTH04N300P3HV DatasheetIXTH04N300P3HV Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
IXYS
उत्पादन कोटि:
MOSFET
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
प्वाल मार्फत
प्याकेज / केस:
TO-247HV-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
3 kV
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
400 mA
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
190 Ohms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
2 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V
Qg - गेट चार्ज:
13 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
104 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
ब्रान्ड:
IXYS
पतन समय:
26 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
20 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
30
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
35 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
12 ns
Tags
IXTH0, IXTH, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
IXTH04N300P3HV
DISTI # IXTH04N300P3HV-ND		IXYS Corporation2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		31In Stock
  • 510:$12.1800
  • 120:$14.2800
  • 30:$15.5400
  • 10:$16.8000
  • 1:$18.4800
छवि भाग # विवरण
IXTH04N300P3HV

Mfr.#: IXTH04N300P3HV

OMO.#: OMO-IXTH04N300P3HV

 MOSFET DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3
IXTH04N300P3HV

Mfr.#: IXTH04N300P3HV

OMO.#: OMO-IXTH04N300P3HV-IXYS-CORPORATION

 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
5000
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सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
1
US$ २१.२५
US$ २१.२५
10
US$ १९.३२
US$ १९३.२०
25
US$ १७.८६
US$ ४४६.५०
50
US$ १६.४४
US$ ८२२.००
100
US$ १६.०४
US$ १ ६०४.००
250
US$ १४.७०
US$ ३ ६७५.००
500
US$ १३.३४
US$ ६ ६७०.००
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