SIZ914DT-T1-GE3

SIZ914DT-T1-GE3
Mfr. #:
SIZ914DT-T1-GE3
निर्माता:
Vishay
विवरण:
IGBT Transistors MOSFET 30V 16/40A 23/100W TrenchFET
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
SIZ914DT-T1-GE3 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता
Vishay Siliconix
उत्पादन कोटि
FETs - arrays
शृङ्खला
TrenchFETR
प्याकेजिङ
Digi-ReelR वैकल्पिक प्याकेजिङ
माउन्टिङ-शैली
SMD/SMT
ट्रेडनेम
TrenchFET
प्याकेज-केस
8-WDFN Exposed Pad
प्रविधि
सि
सञ्चालन - तापक्रम
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिङ-प्रकार
सतह माउन्ट
च्यानलहरूको संख्या
2 Channel
आपूर्तिकर्ता-उपकरण-प्याकेज
8-PowerPairR
कन्फिगरेसन
दोहोरो
FET-प्रकार
2 N-Channel (Half Bridge)
पावर-अधिकतम
22.7W, 100W
ट्रान्जिस्टर-प्रकार
2 N-Channel
ड्रेन-टू-स्रोत-भोल्टेज-Vdss
30V
इनपुट-Capacitance-Ciss-Vds
1208pF @ 15V
FET - सुविधा
तर्क स्तर गेट
वर्तमान-निरन्तर-नाली-Id-25°C
16A, 40A
Rds-on-max-Id-Vgs
6.4 mOhm @ 19A, 10V
Vgs-th-max-Id
2.4V @ 250μA
गेट-चार्ज-Qg-Vgs
26nC @ 10V
Pd-शक्ति-डिसिपेशन
22.7 W 100 W
अधिकतम-सञ्चालन-तापमान
+ 150 C
न्यूनतम-सञ्चालन-तापमान
- 55 C
पतन-समय
5 ns 19 ns
उदय-समय
11 ns 127 ns
Vgs-गेट-स्रोत-भोल्टेज
- 16 V + 20 V
आईडी-निरन्तर-नाली-वर्तमान
16 A 40 A
Vds-ड्रेन-स्रोत-ब्रेकडाउन-भोल्टेज
30 V 30 V
Vgs-th-गेट-स्रोत-थ्रेसहोल्ड-भोल्टेज
1.2 V 1 V
Rds-अन-ड्रेन-स्रोत-प्रतिरोध
6.4 mOhms 1.37 mOhms
ट्रान्जिस्टर-ध्रुवता
N- च्यानल
सामान्य-टर्न-अफ-ढिलाइ-समय
15 ns 40 ns
सामान्य-टर्न-अन-डिले-समय
16 ns 40 ns
Qg-गेट-चार्ज
17 nC 66 nC
फर्वार्ड-ट्रान्सकन्डक्टन्स-न्यूनतम
55 S 68 S
च्यानल-मोड
वृद्धि
Tags
SIZ91, SIZ9, SiZ
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR EP
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
***ark
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETS
***
DUAL N-CHANNEL 30V
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
SIZ914DT-T1-GE3
DISTI # SIZ914DT-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
3000In Stock
  • 3000:$0.8219
SIZ914DT-T1-GE3
DISTI # SIZ914DT-T1-GE3CT-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
3000In Stock
  • 1000:$0.9093
  • 500:$1.0975
  • 100:$1.4110
  • 10:$1.7560
  • 1:$1.9400
SIZ914DT-T1-GE3
DISTI # SIZ914DT-T1-GE3DKR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
3000In Stock
  • 1000:$0.9093
  • 500:$1.0975
  • 100:$1.4110
  • 10:$1.7560
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SIZ914DT-T1-GE3
DISTI # 781-SIZ914DT-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
RoHS: Compliant
0
    SIZ914DT-T1-GE3Vishay Intertechnologies 2811
      छवि भाग # विवरण
      SIZ914DT-T1-GE3

      Mfr.#: SIZ914DT-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIZ914DT-T1-GE3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIZ980DT-T1-GE3
      SIZ914DT-T1-GE3

      Mfr.#: SIZ914DT-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIZ914DT-T1-GE3-VISHAY

      IGBT Transistors MOSFET 30V 16/40A 23/100W TrenchFET
      SIZ914DT-GE3

      Mfr.#: SIZ914DT-GE3

      OMO.#: OMO-SIZ914DT-GE3-1190

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      US$ १.२३
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      US$ ११.७१
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      US$ १.११
      US$ ११०.९६
      500
      US$ १.०५
      US$ ५२४.००
      1000
      US$ ०.९९
      US$ ९८६.३०
      2021 देखि कम आपूर्तिमा अर्धचालकको कारण, तलको मूल्य 2021 अघि सामान्य मूल्य हो। कृपया पुष्टि गर्न सोधपुछ पठाउनुहोस्।
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