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SIZ914DT-T1-GE3

SIZ914DT-T1-GE3
Mfr. #:
SIZ914DT-T1-GE3
निर्माता:
Vishay / Siliconix
विवरण:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIZ980DT-T1-GE3
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
SIZ914DT-T1-GE3 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIZ914DT-T1-GE3 DatasheetSIZ914DT-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)SIZ914DT-T1-GE3 Datasheet (P7-P9)SIZ914DT-T1-GE3 Datasheet (P10-P12)SIZ914DT-T1-GE3 Datasheet (P13-P14)
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
विसय
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
PowerPAIR-6x5-8
च्यानलहरूको संख्या:
2 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
30 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
16 A, 40 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
5.3 mOhms, 1.14 mOhms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
1.2 V, 1 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V, - 16 V
Qg - गेट चार्ज:
26 nC, 99 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
22.7 W, 100 W
कन्फिगरेसन:
दोहोरो
च्यानल मोड:
वृद्धि
व्यापार नाम:
TrenchFET
प्याकेजिङ:
रील
उचाइ:
0.75 mm
लम्बाइ:
6 mm
शृङ्खला:
SIZ
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
2 N-Channel
चौडाइ:
5 mm
ब्रान्ड:
Vishay / Siliconix
फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:
55 S, 68 S
पतन समय:
5 ns, 19 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
11 ns, 127 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
3000
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
15 ns, 40 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
16 ns, 40 ns
Tags
SIZ91, SIZ9, SiZ
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Email: info@omo-ic.com

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR EP
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
***ark
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETS
***
DUAL N-CHANNEL 30V
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
SIZ914DT-T1-GE3
DISTI # SIZ914DT-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		3000In Stock
  • 3000:$0.8219
SIZ914DT-T1-GE3
DISTI # SIZ914DT-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		3000In Stock
  • 1000:$0.9093
  • 500:$1.0975
  • 100:$1.4110
  • 10:$1.7560
  • 1:$1.9400
SIZ914DT-T1-GE3
DISTI # SIZ914DT-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		3000In Stock
  • 1000:$0.9093
  • 500:$1.0975
  • 100:$1.4110
  • 10:$1.7560
  • 1:$1.9400
SIZ914DT-T1-GE3
DISTI # 781-SIZ914DT-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
RoHS: Compliant		0
    SIZ914DT-T1-GE3Vishay Intertechnologies 2811
      छवि भाग # विवरण
      SIZ914DT-T1-GE3

      Mfr.#: SIZ914DT-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIZ914DT-T1-GE3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIZ980DT-T1-GE3
      SIZ914DT-T1-GE3

      Mfr.#: SIZ914DT-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIZ914DT-T1-GE3-VISHAY

      		 IGBT Transistors MOSFET 30V 16/40A 23/100W TrenchFET
      SIZ914DT-GE3

      Mfr.#: SIZ914DT-GE3

      OMO.#: OMO-SIZ914DT-GE3-1190

      		 नयाँ र मौलिक
      उपलब्धता
      स्टक:
      Available
      अर्डर मा:
      4000
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