IXFK90N30

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

IXYS

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

प्वाल मार्फत

प्याकेज / केस:

TO-264-3

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

300 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

90 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

33 mOhms

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

20 V

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

560 W

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

व्यापार नाम:

HyperFET

प्याकेजिङ:

ट्यूब

उचाइ:

26.16 mm

लम्बाइ:

19.96 mm

शृङ्खला:

IXFK90N30

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 N-Channel

चौडाइ:

5.13 mm

ब्रान्ड:

IXYS

पतन समय:

40 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

55 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

25

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

100 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

42 ns

एकाइ वजन:

0.352740 oz

Tags

IXFK90N3, IXFK90, IXFK9, IXFK, IXF