IXFE73N30Q

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

IXYS

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

चेसिस माउन्ट

प्याकेज / केस:

ISOPLUS-227-4

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

300 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

66 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

46 mOhms

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

20 V

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

400 W

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

व्यापार नाम:

HyperFET

प्याकेजिङ:

ट्यूब

उचाइ:

9.65 mm

लम्बाइ:

38.23 mm

शृङ्खला:

IXFE73N30Q

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 N-Channel

चौडाइ:

25.42 mm

ब्रान्ड:

IXYS

पतन समय:

12 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

36 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

10

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

82 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

37 ns

Tags

IXFE, IXF