TP65H035WS

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

ट्रान्सफोर्म

उत्पादन कोटि:

MOSFET

प्रविधि:

गान सि

माउन्टिङ शैली:

प्वाल मार्फत

प्याकेज / केस:

TO-247-3

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

650 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

46.5 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

41 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

3.3 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

20 V

Qg - गेट चार्ज:

36 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

156 W

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 N-Channel

ब्रान्ड:

ट्रान्सफोर्म

पतन समय:

11.5 ns

नमी संवेदनशील:

हो

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

13.5 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

30

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

98.5 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

69 ns

Tags

TP65H, TP65, TP6