IXFN20N120

IXFN20N120
Mfr. #:
IXFN20N120
निर्माता:
Littelfuse
विवरण:
MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
IXFN20N120 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
IXYS
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
चेसिस माउन्ट
प्याकेज / केस:
SOT-227-4
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
1.2 kV
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
20 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
750 mOhms
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
30 V
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
780 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
व्यापार नाम:
HyperFET
प्याकेजिङ:
ट्यूब
उचाइ:
9.6 mm
लम्बाइ:
38.2 mm
शृङ्खला:
IXFN20N120
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
चौडाइ:
25.07 mm
ब्रान्ड:
IXYS
पतन समय:
20 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
45 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
10
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
75 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
25 ns
एकाइ वजन:
1.058219 oz
Tags
IXFN20, IXFN2, IXFN, IXF
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
IXFN20N120
DISTI # IXFN20N120-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 10:$26.7330
IXFN20N120P
DISTI # IXFN20N120P-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 10:$34.2250
IXFN20N120
DISTI # 747-IXFN20N120
IXYS CorporationMOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
RoHS: Compliant
0
  • 10:$26.7400
  • 30:$24.5700
  • 50:$23.5200
  • 100:$22.8300
  • 200:$20.9500
IXFN20N120P
DISTI # 747-IXFN20N120P
IXYS CorporationMOSFET 20 Amps 1200V 0.6 Rds
RoHS: Compliant
0
  • 10:$34.2300
  • 30:$31.4500
  • 50:$30.1100
  • 100:$29.2300
  • 200:$26.8200
छवि भाग # विवरण
IXFN210N30P3

Mfr.#: IXFN210N30P3

OMO.#: OMO-IXFN210N30P3

MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
IXFN210N30X3

Mfr.#: IXFN210N30X3

OMO.#: OMO-IXFN210N30X3

MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLAS (MI
IXFN20N120P

Mfr.#: IXFN20N120P

OMO.#: OMO-IXFN20N120P

MOSFET 20 Amps 1200V 0.6 Rds
IXFN200N10P

Mfr.#: IXFN200N10P

OMO.#: OMO-IXFN200N10P-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
IXFN210N30P3

Mfr.#: IXFN210N30P3

OMO.#: OMO-IXFN210N30P3-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227
IXFN260N17T

Mfr.#: IXFN260N17T

OMO.#: OMO-IXFN260N17T-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227
IXFN23N100

Mfr.#: IXFN23N100

OMO.#: OMO-IXFN23N100-IXYS-CORPORATION

MOSFET 23 Amps 1000V 0.43 Rds
IXFN25N90

Mfr.#: IXFN25N90

OMO.#: OMO-IXFN25N90-IXYS-CORPORATION

MOSFET 25 Amps 900V 0.33 Rds
IXFN20N120P

Mfr.#: IXFN20N120P

OMO.#: OMO-IXFN20N120P-IXYS-CORPORATION

MOSFET 20 Amps 1200V 0.6 Rds
IXFN240N15T2

Mfr.#: IXFN240N15T2

OMO.#: OMO-IXFN240N15T2-IXYS-CORPORATION

MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
4000
मात्रा प्रविष्ट गर्नुहोस्:
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सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
10
US$ २६.७४
US$ २६७.४०
30
US$ २४.५७
US$ ७३७.१०
50
US$ २३.५२
US$ १ १७६.००
100
US$ २२.८३
US$ २ २८३.००
200
US$ २०.९५
US$ ४ १९०.००
500
US$ १९.९४
US$ ९ ९७०.००
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