IXFN280N085

IXFN280N085
Mfr. #:
IXFN280N085
निर्माता:
Littelfuse
विवरण:
MOSFET 280 Amps 85V 0.0044 Rds
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
IXFN280N085 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
IXYS
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
चेसिस माउन्ट
प्याकेज / केस:
SOT-227-4
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
85 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
280 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
4.4 mOhms
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
700 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
व्यापार नाम:
HyperFET
प्याकेजिङ:
ट्यूब
उचाइ:
9.6 mm
लम्बाइ:
38.23 mm
शृङ्खला:
IXFN280N085
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
चौडाइ:
25.42 mm
ब्रान्ड:
IXYS
पतन समय:
33 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
95 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
10
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
200 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
140 ns
एकाइ वजन:
1.058219 oz
Tags
IXFN2, IXFN, IXF
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***ical
Trans MOSFET N-CH Si 85V 280A 4-Pin SOT-227B
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
IXFN280N085
DISTI # V36:1790_16260678
IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH Si 85V 280A 4-Pin SOT-227B
RoHS: Compliant
0
  • 1:$37.1500
IXFN280N085
DISTI # IXFN280N085-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube
Limited Supply - Call
    IXFN280N085
    DISTI # 747-IXFN280N085
    IXYS CorporationMOSFET 280 Amps 85V 0.0044 Rds
    RoHS: Compliant
    0
    • 100:$30.8200
    • 200:$28.7700
    छवि भाग # विवरण
    IXFN200N10P

    Mfr.#: IXFN200N10P

    OMO.#: OMO-IXFN200N10P

    MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
    IXFN27N120SK

    Mfr.#: IXFN27N120SK

    OMO.#: OMO-IXFN27N120SK

    MOSFET SICARBIDE-DISCRETE MOSFET (MIN
    IXFN230N10

    Mfr.#: IXFN230N10

    OMO.#: OMO-IXFN230N10

    MOSFET 230 Amps 100V 0.006 Rds
    IXFN25N90

    Mfr.#: IXFN25N90

    OMO.#: OMO-IXFN25N90

    MOSFET 25 Amps 900V 0.33 Rds
    IXFN24N90Q

    Mfr.#: IXFN24N90Q

    OMO.#: OMO-IXFN24N90Q

    MOSFET 24 Amps 900V 0.45W Rds
    IXFN26N50Q

    Mfr.#: IXFN26N50Q

    OMO.#: OMO-IXFN26N50Q-1190

    नयाँ र मौलिक
    IXFN24N100

    Mfr.#: IXFN24N100

    OMO.#: OMO-IXFN24N100-IXYS-CORPORATION

    MOSFET 1KV 24A
    IXFN27N80

    Mfr.#: IXFN27N80

    OMO.#: OMO-IXFN27N80-IXYS-CORPORATION

    MOSFET 800V 27A
    IXFN23N100

    Mfr.#: IXFN23N100

    OMO.#: OMO-IXFN23N100-IXYS-CORPORATION

    MOSFET 23 Amps 1000V 0.43 Rds
    IXFN240N15T2

    Mfr.#: IXFN240N15T2

    OMO.#: OMO-IXFN240N15T2-IXYS-CORPORATION

    MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
    उपलब्धता
    स्टक:
    Available
    अर्डर मा:
    3500
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    सन्दर्भ मूल्य (USD)
    मात्रा
    एकाइ मूल्य
    विस्तार मूल्य
    100
    US$ ३०.८२
    US$ ३ ०८२.००
    200
    US$ २८.७७
    US$ ५ ७५४.००
    2021 देखि कम आपूर्तिमा अर्धचालकको कारण, तलको मूल्य 2021 अघि सामान्य मूल्य हो। कृपया पुष्टि गर्न सोधपुछ पठाउनुहोस्।
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