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IXFH50N20

IXFH50N20
Mfr. #:
IXFH50N20
निर्माता:
Littelfuse
विवरण:
MOSFET DIODE Id50 BVdass200
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
IXFH50N20 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
IXYS
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
प्वाल मार्फत
प्याकेज / केस:
TO-247-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
200 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
50 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
45 mOhms
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
300 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
व्यापार नाम:
HyperFET
प्याकेजिङ:
ट्यूब
उचाइ:
21.46 mm
लम्बाइ:
16.26 mm
शृङ्खला:
IXFH50N20
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
चौडाइ:
5.3 mm
ब्रान्ड:
IXYS
फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:
32 S
पतन समय:
16 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
15 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
30
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
72 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
18 ns
एकाइ वजन:
0.229281 oz
Tags
IXFH50N2, IXFH50, IXFH5, IXFH, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
***inecomponents.com
MOSFETs w/Fast Intrinsic Diode
***ark
Mosfet, N, To-247; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:50A; On Resistance Rds(On):0.045Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
IXFH50N20
DISTI # IXFH50N20-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		1419In Stock
  • 510:$6.0450
  • 120:$7.2150
  • 30:$7.9950
  • 1:$9.7500
IXFH50N20
DISTI # 747-IXFH50N20		IXYS CorporationMOSFET DIODE Id50 BVdass200
RoHS: Compliant		0
    IXFH50N20SPIXYS Corporation 3
    • 3:$14.2800
    • 1:$15.3000
    छवि भाग # विवरण
    IXFH26N50P

    Mfr.#: IXFH26N50P

    OMO.#: OMO-IXFH26N50P

    		 MOSFET HiPERFET Id26 BVdass500
    IXFH42N60P3

    Mfr.#: IXFH42N60P3

    OMO.#: OMO-IXFH42N60P3

    		 MOSFET 600V 42A 0.185Ohm PolarP3 Power MOSFET
    IXFH14N60P

    Mfr.#: IXFH14N60P

    OMO.#: OMO-IXFH14N60P

    		 MOSFET 600V 14A
    IXFH12N65X2

    Mfr.#: IXFH12N65X2

    OMO.#: OMO-IXFH12N65X2

    		 MOSFET 650V/12A TO-247
    IXFH40N30

    Mfr.#: IXFH40N30

    OMO.#: OMO-IXFH40N30

    		 MOSFET 300V 40A
    IXFH20N90P

    Mfr.#: IXFH20N90P

    OMO.#: OMO-IXFH20N90P-1190

    		 नयाँ र मौलिक
    IXFH76N06-11

    Mfr.#: IXFH76N06-11

    OMO.#: OMO-IXFH76N06-11-1190

    		 नयाँ र मौलिक
    IXFH400N075T2

    Mfr.#: IXFH400N075T2

    OMO.#: OMO-IXFH400N075T2-IXYS-CORPORATION

    		 Darlington Transistors MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A
    IXFH10N100Q

    Mfr.#: IXFH10N100Q

    OMO.#: OMO-IXFH10N100Q-IXYS-CORPORATION

    		 MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
    IXFH60N50P3

    Mfr.#: IXFH60N50P3

    OMO.#: OMO-IXFH60N50P3-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT Transistors MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
    उपलब्धता
    स्टक:
    Available
    अर्डर मा:
    2000
    मात्रा प्रविष्ट गर्नुहोस्:
    IXFH50N20 को हालको मूल्य सन्दर्भको लागि मात्र हो, यदि तपाइँ उत्तम मूल्य प्राप्त गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हाम्रो बिक्री टोली sales@omo-ic.com मा सोधपुछ वा प्रत्यक्ष इमेल पेश गर्नुहोस्।
    सन्दर्भ मूल्य (USD)
    मात्रा
    एकाइ मूल्य
    विस्तार मूल्य
    90
    US$ ९.८४
    US$ ८८५.६०
    120
    US$ ९.६०
    US$ १ १५२.००
    270
    US$ ८.८०
    US$ २ ३७६.००
    510
    US$ ७.९९
    US$ ४ ०७४.९०
    1020
    US$ ७.२९
    US$ ७ ४३५.८०
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