SIHP186N60EF-GE3

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

विसय

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

प्वाल मार्फत

प्याकेज / केस:

TO-220AB-3

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

500 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

18 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

225 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

5 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

30 V

Qg - गेट चार्ज:

65 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

व्यापार नाम:

TrenchFET

ब्रान्ड:

Vishay / Siliconix

पतन समय:

44 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

27 ns

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

32 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

80 ns

Tags

SIHP18, SIHP1, SIHP, SIH