SQD100N02_3M5L4GE3

SQD100N02_3M5L4GE3
Mfr. #:
SQD100N02_3M5L4GE3
निर्माता:
Vishay
विवरण:
MOSFET 20V Vds 20V Vgs TO-252
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
SQD100N02_3M5L4GE3 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
विसय
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
TO-252-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
20 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
100 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
3.5 mOhms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
1.5 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V
Qg - गेट चार्ज:
110 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 175 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
83 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
योग्यता:
AEC-Q101
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
ब्रान्ड:
विसय
फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:
186 S
पतन समय:
15 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
5 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
1
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
38 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
15 ns
Tags
SQD100N02, SQD100N, SQD100, SQD10, SQD1, SQD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
छवि भाग # विवरण
SQD100N02_3M5L4GE3

Mfr.#: SQD100N02_3M5L4GE3

OMO.#: OMO-SQD100N02-3M5L4GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs TO-252
SQD100N02-3M5L-T4GE3

Mfr.#: SQD100N02-3M5L-T4GE3

OMO.#: OMO-SQD100N02-3M5L-T4GE3-1190

नयाँ र मौलिक
SQD100N02-3M5L_GE3

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OMO.#: OMO-SQD100N02-3M5L-GE3-VISHAY

MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
4500
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सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
2500
US$ ०.५४
US$ १ ३४२.५०
5000
US$ ०.५१
US$ २ ५५०.००
10000
US$ ०.४९
US$ ४ ९१०.००
25000
US$ ०.४८
US$ ११ ९००.००
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