US6M2GTR

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

ROHM अर्धचालक

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

SMD/SMT

प्याकेज / केस:

TUMT-6

च्यानलहरूको संख्या:

2 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

एन-च्यानल, पी-च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

30 V, 20 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

1.5 A, 1 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

170 mOhms, 280 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

1.5 V, 2 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

4.5 V

Qg - गेट चार्ज:

1.6 nC, 2.1 nC

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

1 W

कन्फिगरेसन:

दोहोरो

च्यानल मोड:

वृद्धि

प्याकेजिङ:

रील

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 N-Channel, 1 P-Channel

ब्रान्ड:

ROHM अर्धचालक

पतन समय:

6 ns, 10 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

9 ns, 8 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

3000

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

15 ns, 25 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

7 ns, 9 ns

Tags

US6M2GT, US6M2G, US6M2, US6M, US6