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IXFH20N60

IXFH20N60
Mfr. #:
IXFH20N60
निर्माता:
Littelfuse
विवरण:
MOSFET 600V 20A
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
IXFH20N60 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
IXYS
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
प्वाल मार्फत
प्याकेज / केस:
TO-247-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
600 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
20 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
350 mOhms
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
300 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
व्यापार नाम:
HyperFET
प्याकेजिङ:
ट्यूब
उचाइ:
21.46 mm
लम्बाइ:
16.26 mm
शृङ्खला:
IXFH20N60
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
चौडाइ:
5.3 mm
ब्रान्ड:
IXYS
फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:
18 S
पतन समय:
40 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
43 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
30
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
70 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
20 ns
एकाइ वजन:
0.229281 oz
Tags
IXFH20N6, IXFH20N, IXFH20, IXFH2, IXFH, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
***ark
MOSFET, N, TO-247; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:600V; Current, Id Cont:20A; Resistance, Rds On:0.35ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4.5V; Case Style:TO-247; Termination ;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
MOSFET, N, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):350mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; Current Id Max:20A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; N-channel Gate Charge:151nC; No. of Transistors:1; On State Resistance Max:350mohm; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Pd:300W; Power Dissipation Pd:300W; Pulse Current Idm:60A; Rate of Voltage Change dv / dt:5V/ns; Repetitive Avalanche Energy Max:30mJ; Reverse Recovery Time trr Typ:250ns; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4.5V; Weight:6g
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
IXFH20N60
DISTI # IXFH20N60-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IXFH20N60Q
    DISTI # IXFH20N60Q-ND    		IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 20A TO-247
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 30
    Container: Tube    		Limited Supply - Call
      IXFH20N60
      DISTI # 747-IXFH20N60      		IXYS CorporationMOSFET 600V 20A
      RoHS: Compliant      		0
        IXFH20N60Q
        DISTI # 747-IXFH20N60Q        		IXYS CorporationMOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds
        RoHS: Compliant        		0
          IXFH20N60IXYS Corporation 16
            IXFH20N60IXYS CorporationMOSFET Transistor, N-Channel, TO-247AD73
            • 31:$5.8110
            • 4:$6.7050
            • 1:$13.4100
            IXFH20N60IXYS CorporationMOSFET Transistor, N-Channel, TO-247AD7
            • 4:$6.7050
            • 2:$8.9400
            • 1:$13.4100
            IXFH20N60IXYS CorporationINSTOCK100
              छवि भाग # विवरण
              IXFH120N15P

              Mfr.#: IXFH120N15P

              OMO.#: OMO-IXFH120N15P

              		 MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
              IXFH110N25T

              Mfr.#: IXFH110N25T

              OMO.#: OMO-IXFH110N25T

              		 MOSFET 110 Amps 0V
              IXFH10N100

              Mfr.#: IXFH10N100

              OMO.#: OMO-IXFH10N100

              		 MOSFET 1KV 10A
              IXFH15N100Q3

              Mfr.#: IXFH15N100Q3

              OMO.#: OMO-IXFH15N100Q3-IXYS-CORPORATION

              		 MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
              IXFH20N80

              Mfr.#: IXFH20N80

              OMO.#: OMO-IXFH20N80-1190

              		 नयाँ र मौलिक
              IXFH46N65X2/SPW47N60C3

              Mfr.#: IXFH46N65X2/SPW47N60C3

              OMO.#: OMO-IXFH46N65X2-SPW47N60C3-1190

              		 नयाँ र मौलिक
              IXFH22N55

              Mfr.#: IXFH22N55

              OMO.#: OMO-IXFH22N55-IXYS-CORPORATION

              		 MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD
              IXFH13N80

              Mfr.#: IXFH13N80

              OMO.#: OMO-IXFH13N80-IXYS-CORPORATION

              		 MOSFET 800V 13A
              IXFH14N100Q2

              Mfr.#: IXFH14N100Q2

              OMO.#: OMO-IXFH14N100Q2-IXYS-CORPORATION

              		 MOSFET 14 Amps 1000V 0.90 Rds
              IXFH28N60P3

              Mfr.#: IXFH28N60P3

              OMO.#: OMO-IXFH28N60P3-IXYS-CORPORATION

              		 IGBT Transistors MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
              उपलब्धता
              स्टक:
              Available
              अर्डर मा:
              4500
              मात्रा प्रविष्ट गर्नुहोस्:
              IXFH20N60 को हालको मूल्य सन्दर्भको लागि मात्र हो, यदि तपाइँ उत्तम मूल्य प्राप्त गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हाम्रो बिक्री टोली sales@omo-ic.com मा सोधपुछ वा प्रत्यक्ष इमेल पेश गर्नुहोस्।
              सन्दर्भ मूल्य (USD)
              मात्रा
              एकाइ मूल्य
              विस्तार मूल्य
              60
              US$ ९.१०
              US$ ५४६.००
              120
              US$ ८.९०
              US$ १ ०६८.००
              270
              US$ ८.१२
              US$ २ १९२.४०
              510
              US$ ७.४१
              US$ ३ ७७९.१०
              1020
              US$ ७.०७
              US$ ७ २११.४०
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