GS8161E36DGD-200V

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

GSI प्रविधि

उत्पादन कोटि:

SRAM

RoHS:

Y

मेमोरी साइज:

18 Mbit

संगठन:

512 k x 36

पहुँच समय:

6.5 ns

अधिकतम घडी आवृत्ति:

200 MHz

इन्टरफेस प्रकार:

समानान्तर

आपूर्ति भोल्टेज - अधिकतम:

2.7 V

आपूर्ति भोल्टेज - न्यूनतम:

1.7 V

हालको आपूर्ति - अधिकतम:

205 mA, 210 mA

न्यूनतम परिचालन तापमान:

0 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 70 C

माउन्टिङ शैली:

SMD/SMT

प्याकेज / केस:

BGA-165

प्याकेजिङ:

ट्रे

मेमोरी प्रकार:

SDR

शृङ्खला:

GS8161E36DGD

प्रकार:

DCD पाइपलाइन/फ्लो थ्रु

ब्रान्ड:

GSI प्रविधि

नमी संवेदनशील:

हो

उत्पादन प्रकार:

SRAM

कारखाना प्याक मात्रा:

18

उपश्रेणी:

मेमोरी र डाटा भण्डारण

व्यापार नाम:

SyncBurst

Tags

GS8161E36DGD-20, GS8161E36DGD-2, GS8161E36DGD, GS8161E36DG, GS8161E36, GS8161E3, GS8161E, GS8161, GS816, GS81, GS8