 | | | |
| PartNumber | SI1910DL-T1-E3 | SI1911DY | SI1912EDH |
| Description |
| निर्माता | भाग # | विवरण | RFQ |
|---|---|---|---|
Vishay / Siliconix |
SI1913EDH-T1-E3 | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI1967DH-T1-GE3 | |
| SI1913DH-T1-E3 | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI1967DH-T1-GE3 | ||
| SI1910DL-T1-E3 | नयाँ र मौलिक | ||
| SI1911DY | नयाँ र मौलिक | ||
| SI1912EDH | नयाँ र मौलिक | ||
| SI1912EDH-T1 | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI1922EDH-T1-GE3 | ||
| SI1912EDH-T1-GE3 | 1130MA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET | ||
| SI1912EDH-TI-E3 | नयाँ र मौलिक | ||
| SI19132CB | नयाँ र मौलिक | ||
| SI19132CBU | नयाँ र मौलिक | ||
| SI19134 CTU | नयाँ र मौलिक | ||
| SI1913DH-T1-GE3 | नयाँ र मौलिक | ||
| SI1913EDH-T1-GE3 | नयाँ र मौलिक | ||
| SI19151CLU | नयाँ र मौलिक | ||
| SI1916 | नयाँ र मौलिक | ||
| SI1917EDH | नयाँ र मौलिक | ||
| SI1917EDH-T1 | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI1965DH-T1-GE3 | ||
| SI1917EDH-T1-E3 (PB) | नयाँ र मौलिक | ||
| SI1917EDHT1GE3 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||
| SI1917ESH-T1 | नयाँ र मौलिक | ||
| SI19181CNU | नयाँ र मौलिक | ||
| SI19185ACTU | नयाँ र मौलिक | ||
| SI19190CTG64 | नयाँ र मौलिक | ||
| SI1912 | नयाँ र मौलिक | ||
| SI1913 | नयाँ र मौलिक | ||
| SI19134CTU | नयाँ र मौलिक | ||
| SI1913EDH-T1 | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI1967DH-T1-GE3 | ||
| SI1917EDH-T1-GE3 | नयाँ र मौलिक | ||
| SI19190CT64 | नयाँ र मौलिक | ||
Vishay |
SI1912EDH-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6 | |
| SI1913DH-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6 | ||
| SI1917EDH-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6 | ||
| SI1913EDH-T1-E3 | IGBT Transistors MOSFET 20V 1.0A |