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AS4C512M16D3LA-10BCN

AS4C512M16D3LA-10BCN
Mfr. #:
AS4C512M16D3LA-10BCN
निर्माता:
Alliance Memory
विवरण:
DRAM 8G 512Mx16 933MHz 1.35V DDR3 ET
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
AS4C512M16D3LA-10BCN डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
थप जानकारी:
AS4C512M16D3LA-10BCN थप जानकारी
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
गठबन्धन मेमोरी
उत्पादन कोटि:
DRAM
RoHS:
Y
प्रकार:
SDRAM - DDR3
डाटा बस चौडाइ:
16 bit
संगठन:
512 M x 16
प्याकेज / केस:
FBGA-96
मेमोरी साइज:
8 Gbit
अधिकतम घडी आवृत्ति:
933 MHz
आपूर्ति भोल्टेज - अधिकतम:
1.45 V
आपूर्ति भोल्टेज - न्यूनतम:
1.283 V
हालको आपूर्ति - अधिकतम:
62 mA
न्यूनतम परिचालन तापमान:
0 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 95 C
शृङ्खला:
AS4C512M16D3LA
प्याकेजिङ:
ट्रे
ब्रान्ड:
गठबन्धन मेमोरी
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
नमी संवेदनशील:
हो
उत्पादन प्रकार:
DRAM
कारखाना प्याक मात्रा:
180
उपश्रेणी:
मेमोरी र डाटा भण्डारण
Tags
AS4C512M16D3LA-10, AS4C512M16D3LA, AS4C512M1, AS4C5, AS4C, AS4
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Email us if you have excess stock to sell.

Email: info@omo-ic.com

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
    I***k
    I***k
    UA

    Svv 21

    2019-09-23
    S***s
    S***s
    TR

    OK!

    2019-04-10
    A***v
    A***v
    RU

    Ok

    2019-08-16
DDR3L SDRAM
Alliance Memory DDR3L SDRAM uses a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. A single read or write operation for the DDR3 SDRAM effectively consists of a single 8n-bit-wide, four-clock-cycle data transfer at the internal DRAM core and eight corresponding  n-bit-wide, one-half-clock-cycle data transfers at the I/O pins.
छवि भाग # विवरण
AS4C512M16D3LB-12BINTR

Mfr.#: AS4C512M16D3LB-12BINTR

OMO.#: OMO-AS4C512M16D3LB-12BINTR

 DRAM 8G - Dual Die Package (DDP) -12 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 800MHz DDR3-1600bps/pin Industrial (-40 95 C) 96-ball FBGA
AS4C512M16D3LA-10BINTR

Mfr.#: AS4C512M16D3LA-10BINTR

OMO.#: OMO-AS4C512M16D3LA-10BINTR

 DRAM 8G 512Mx16 933MHz 1.35V DDR3 IT
AS4C512M16D3LA-12BIN

Mfr.#: AS4C512M16D3LA-12BIN

OMO.#: OMO-AS4C512M16D3LA-12BIN

 DRAM 8G 512Mx16 800MHz 1.35V DDR3 IT
AS4C512M16D3LA-12BCNTR

Mfr.#: AS4C512M16D3LA-12BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C512M16D3LA-12BCNTR

 DRAM 8G 512Mx16 800MHz 1.35V DDR3 ET
AS4C512M16D3LA-10BCN

Mfr.#: AS4C512M16D3LA-10BCN

OMO.#: OMO-AS4C512M16D3LA-10BCN

 DRAM 8G 512Mx16 933MHz 1.35V DDR3 ET
AS4C512M16D3LA-10BIN

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 DRAM 8G 512Mx16 933MHz 1.35V DDR3 IT
AS4C512M16D3L-12BINTR

Mfr.#: AS4C512M16D3L-12BINTR

OMO.#: OMO-AS4C512M16D3L-12BINTR

 DRAM 8GB 1.35V 800MHz 512M x 16 DDR3L IT
AS4C512M16D3L-12BIN

Mfr.#: AS4C512M16D3L-12BIN

OMO.#: OMO-AS4C512M16D3L-12BIN-ALLIANCE-MEMORY

 IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA
AS4C512M16D3L-12BCNTR

Mfr.#: AS4C512M16D3L-12BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C512M16D3L-12BCNTR-ALLIANCE-MEMORY

 DRAM 8GB 1.35V 800MHz 512M x 16 DDR3L CT
AS4C512M16D3L-12BINTR

Mfr.#: AS4C512M16D3L-12BINTR

OMO.#: OMO-AS4C512M16D3L-12BINTR-ALLIANCE-MEMORY

 DRAM 8GB 1.35V 800MHz 512M x 16 DDR3L IT
उपलब्धता
स्टक:
180
अर्डर मा:
2163
मात्रा प्रविष्ट गर्नुहोस्:
AS4C512M16D3LA-10BCN को हालको मूल्य सन्दर्भको लागि मात्र हो, यदि तपाइँ उत्तम मूल्य प्राप्त गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हाम्रो बिक्री टोली sales@omo-ic.com मा सोधपुछ वा प्रत्यक्ष इमेल पेश गर्नुहोस्।
सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
1
US$ ४९.४०
US$ ४९.४०
5
US$ ४७.४१
US$ २३७.०५
10
US$ ४६.८९
US$ ४६८.९०
25
US$ ४५.७३
US$ १ १४३.२५
50
US$ ४०.१५
US$ २ ००७.५०
100
US$ ३७.७५
US$ ३ ७७५.००
250
US$ ३६.१९
US$ ९ ०४७.५०
2021 देखि कम आपूर्तिमा अर्धचालकको कारण, तलको मूल्य 2021 अघि सामान्य मूल्य हो। कृपया पुष्टि गर्न सोधपुछ पठाउनुहोस्।
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