IPB085N06L G

IPB085N06L G
Mfr. #:
IPB085N06L G
निर्माता:
Infineon Technologies
विवरण:
MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
IPB085N06L G डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
इन्फिनोन
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
TO-263-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
60 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
80 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
8.5 mOhms
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 175 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
188 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
प्याकेजिङ:
रील
उचाइ:
4.4 mm
लम्बाइ:
10 mm
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
चौडाइ:
9.25 mm
ब्रान्ड:
Infineon टेक्नोलोजीहरू
पतन समय:
18 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
19 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
1000
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
53 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
10 ns
भाग # उपनाम:
IPB085N06LGXT
एकाइ वजन:
0.139332 oz
Tags
IPB08, IPB0, IPB
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
***ronik
N-CH 60V 80A 8mOhm TO263-3 RoHSconf
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
IPB085N06L G
DISTI # IPB085N06LGINCT-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 80A TO-263
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
Limited Supply - Call
    IPB085N06L G
    DISTI # IPB085N06LGINDKR-ND
    Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 80A TO-263
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®
    Limited Supply - Call
      छवि भाग # विवरण
      IPB085N06L G

      Mfr.#: IPB085N06L G

      OMO.#: OMO-IPB085N06L-G

      MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2
      IPB085N06L G

      Mfr.#: IPB085N06L G

      OMO.#: OMO-IPB085N06L-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

      MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
      उपलब्धता
      स्टक:
      Available
      अर्डर मा:
      5000
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