SIDR390DP-T1-RE3

Mfr. #:: SIDR390DP-T1-RE3
निर्माता:: Vishay / Siliconix
विवरण:: MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
जीवन चक्र:: यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:: SIDR390DP-T1-RE3 डाटा पाना
डेलिभरी:: DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

उत्पादन विशेषता
विशेषता मान

निर्माता:: विसय

उत्पादन कोटि:: MOSFET

RoHS:: E

प्रविधि:: सि

माउन्टिङ शैली:: SMD/SMT

प्याकेज / केस:: PowerPAK-SO-8DC-8

च्यानलहरूको संख्या:: 1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:: N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:: 30 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:: 100 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:: 1.15 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:: 2 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:: 4.5 V

Qg - गेट चार्ज:: 102 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:: - 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:: + 150 C

कन्फिगरेसन:: एकल

च्यानल मोड:: वृद्धि

व्यापार नाम:: TrenchFET

प्याकेजिङ:: रील

शृङ्खला:: SID

ब्रान्ड:: Vishay / Siliconix

पतन समय:: 27 ns

उत्पादन प्रकार:: MOSFET

उठ्ने समय:: 63 ns

कारखाना प्याक मात्रा:: 3000

उपश्रेणी:: MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:: 78 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:: 51 ns

Tags: SIDR3, SIDR, SID

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भाग #

विवरण

Mfr.#: SIDR390DP-T1-RE3

OMO.#: OMO-SIDR390DP-T1-RE3

MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

Mfr.#: SIDR390DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIDR390DP-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

Mfr.#: SIDR390DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIDR390DP-T1-GE3-VISHAY

MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8D

उपलब्धता

स्टक:: Available
अर्डर मा:: 3000
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1: ~~US$ २.५९~~; ~~US$ २.५९~~

10: ~~US$ २.१५~~; ~~US$ २१.५०~~

100: ~~US$ १.६७~~; ~~US$ १६७.००~~

500: ~~US$ १.४६~~; ~~US$ ७३०.००~~

1000: ~~US$ १.२१~~; ~~US$ १ २१०.००~~

2021 देखि कम आपूर्तिमा अर्धचालकको कारण, तलको मूल्य 2021 अघि सामान्य मूल्य हो। कृपया पुष्टि गर्न सोधपुछ पठाउनुहोस्।

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