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IRF630NSTRRPBF

IRF630NSTRRPBF
Mfr. #:
IRF630NSTRRPBF
निर्माता:
Infineon / IR
विवरण:
MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
IRF630NSTRRPBF डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IRF630NSTRRPBF DatasheetIRF630NSTRRPBF Datasheet (P4-P6)IRF630NSTRRPBF Datasheet (P7-P9)IRF630NSTRRPBF Datasheet (P10-P11)
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
इन्फिनोन
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
TO-252-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
200 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
9.5 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
300 mOhms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
4 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V
Qg - गेट चार्ज:
23.3 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 175 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
82 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
प्याकेजिङ:
रील
उचाइ:
2.3 mm
लम्बाइ:
6.5 mm
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
प्रकार:
HEXFET पावर MOSFET
चौडाइ:
6.22 mm
ब्रान्ड:
Infineon / IR
फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:
4.9 S
पतन समय:
15 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
14 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
800
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
27 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
7.9 ns
भाग # उपनाम:
SP001561818
एकाइ वजन:
0.139332 oz
Tags
IRF630NST, IRF630NS, IRF630N, IRF630, IRF63, IRF6, IRF
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Email: info@omo-ic.com

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ineonSCT
200VSingleNChannelHEXFETPowerMOSFETinaD2PakpackageD2PAK3RoHS
***ical
TransMOSFETNCHSi200V93A3Pin2TabD2PAKTR
***ineon
BenefitsRoHSCompliant;LowRDSon;Industryleadingquality;DynamicdvdtRating;FastSwitching;FullyAvalancheRated;175COperatingTemperature
***ark
MOSFET;TransistorTypeMOSFET;TransistorPolarityNChannel;DrainSourceVoltageVds200V;ContinuousDrainCurrentId93A;OnResistanceRdson300mohm;RdsonTestVoltageVgs10V;PackageCaseD2PAK;RoHSCompliantYes
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
IRF630NSTRRPBF
DISTI # IRF630NSTRRPBF-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1600
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    IRF630NSTRRPBF
    DISTI # 70019554    		Infineon Technologies AGMOSFET,200V,9.5A,300 MOHM,23.3 NC QG,D2-PAK
    RoHS: Compliant    		0
    • 1600:$0.8270
    • 3200:$0.8100
    • 8000:$0.7860
    IRF630NSTRRPBF
    DISTI # 942-IRF630NSTRRPBF    		Infineon Technologies AGMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC
    RoHS: Compliant    		587
    • 1:$1.5600
    • 10:$1.3300
    • 100:$1.0200
    • 500:$0.9080
    • 800:$0.7170
    • 2400:$0.6340
    • 4800:$0.6210
    • 9600:$0.6100
    छवि भाग # विवरण
    IRF630NPBF

    Mfr.#: IRF630NPBF

    OMO.#: OMO-IRF630NPBF

    		 MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
    IRF630NLPBF

    Mfr.#: IRF630NLPBF

    OMO.#: OMO-IRF630NLPBF

    		 MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
    IRF630N

    Mfr.#: IRF630N

    OMO.#: OMO-IRF630N-1190

    		 MOSFET N-CHANNEL 200V 9.3A TO220AB, EA
    IRF630NL

    Mfr.#: IRF630NL

    OMO.#: OMO-IRF630NL-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
    IRF630NPBF , MM3Z6V8B

    Mfr.#: IRF630NPBF , MM3Z6V8B

    OMO.#: OMO-IRF630NPBF-MM3Z6V8B-1190

    		 नयाँ र मौलिक
    IRF630NPBF,IRF630N

    Mfr.#: IRF630NPBF,IRF630N

    OMO.#: OMO-IRF630NPBF-IRF630N-1190

    		 नयाँ र मौलिक
    IRF630NPBF-CN

    Mfr.#: IRF630NPBF-CN

    OMO.#: OMO-IRF630NPBF-CN-1190

    		 नयाँ र मौलिक
    IRF630NSTRPBF

    Mfr.#: IRF630NSTRPBF

    OMO.#: OMO-IRF630NSTRPBF-1190

    		 नयाँ र मौलिक
    IRF630NSTRR

    Mfr.#: IRF630NSTRR

    OMO.#: OMO-IRF630NSTRR-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
    IRF630NSTRLPBF

    Mfr.#: IRF630NSTRLPBF

    OMO.#: OMO-IRF630NSTRLPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 Darlington Transistors MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
    उपलब्धता
    स्टक:
    587
    अर्डर मा:
    2570
    मात्रा प्रविष्ट गर्नुहोस्:
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