OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
नमस्कार, साइन इन गर्नुहोस्मेरो खाता
0 कार्ट

IMZ120R045M1XKSA1

IMZ120R045M1XKSA1
Mfr. #:
IMZ120R045M1XKSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विवरण:
MOSFET SIC DISCRETE
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
IMZ120R045M1XKSA1 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
थप जानकारी:
IMZ120R045M1XKSA1 थप जानकारी
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
इन्फिनोन
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
SiC
माउन्टिङ शैली:
प्वाल मार्फत
प्याकेज / केस:
TO-247-7
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
1200 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
52 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
59 mOhms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
3.5 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
- 10 V, 20 V
Qg - गेट चार्ज:
52 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 175 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
228 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
प्याकेजिङ:
ट्यूब
शृङ्खला:
IMZ120R045
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
ब्रान्ड:
Infineon टेक्नोलोजीहरू
फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:
11.1 S
पतन समय:
13 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
18 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
240
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
17 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
9 ns
भाग # उपनाम:
IMZ120R045M1 SP001346258
Tags
IMZ120R0, IMZ12, IMZ1, IMZ
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: info@omo-ic.com

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
1200V CoolSiC™ Modules
Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.
छवि भाग # विवरण
C3M0075120K

Mfr.#: C3M0075120K

OMO.#: OMO-C3M0075120K

 MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
C2012X5R1E106K085AC

Mfr.#: C2012X5R1E106K085AC

OMO.#: OMO-C2012X5R1E106K085AC

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0805 25V 10uF X5R 10% T: 0.85mm
C3M0075120K

Mfr.#: C3M0075120K

OMO.#: OMO-C3M0075120K-WOLFSPEED

 MOSFET N-CH 1200V 30A TO247-4
C2012X5R1E106K085AC

Mfr.#: C2012X5R1E106K085AC

OMO.#: OMO-C2012X5R1E106K085AC-TDK

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 10UF 25V 10% 0805
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
5000
मात्रा प्रविष्ट गर्नुहोस्:
IMZ120R045M1XKSA1 को हालको मूल्य सन्दर्भको लागि मात्र हो, यदि तपाइँ उत्तम मूल्य प्राप्त गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हाम्रो बिक्री टोली sales@omo-ic.com मा सोधपुछ वा प्रत्यक्ष इमेल पेश गर्नुहोस्।
सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
1
US$ २५.०३
US$ २५.०३
5
US$ २४.७७
US$ १२३.८५
10
US$ २३.०९
US$ २३०.९०
25
US$ २२.०५
US$ ५५१.२५
100
US$ १९.७१
US$ १ ९७१.००
250
US$ १८.८०
US$ ४ ७००.००
500
US$ १७.९०
US$ ८ ९५०.००
2021 देखि कम आपूर्तिमा अर्धचालकको कारण, तलको मूल्य 2021 अघि सामान्य मूल्य हो। कृपया पुष्टि गर्न सोधपुछ पठाउनुहोस्।
बाट सुरु गर्नुहोस्
नवीनतम उत्पादनहरू
More Newest Products
Top