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IPP050N06N G

IPP050N06N G
Mfr. #:
IPP050N06N G
निर्माता:
Infineon Technologies
विवरण:
MOSFET N-Ch 60V 100A TO220-3
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
IPP050N06N G डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IPP050N06N G DatasheetIPP050N06N G Datasheet (P4-P6)IPP050N06N G Datasheet (P7-P9)IPP050N06N G Datasheet (P10)
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
इन्फिनोन
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
प्वाल मार्फत
प्याकेज / केस:
TO-220-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
60 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
100 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
5 mOhms
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 175 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
300 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
प्याकेजिङ:
ट्यूब
उचाइ:
15.65 mm
लम्बाइ:
10 mm
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
चौडाइ:
4.4 mm
ब्रान्ड:
Infineon टेक्नोलोजीहरू
पतन समय:
30 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
31 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
500
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
59 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
21 ns
भाग # उपनाम:
IPP050N06NGXK
एकाइ वजन:
0.211644 oz
Tags
IPP05, IPP0, IPP
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
***
N-Channel 6 V 1A (Tc) 3W (Tc) Through Hole PG-TO22-3
***el Nordic
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भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
IPP050N06N G
DISTI # IPP050N06NGIN-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 100A TO-220
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Limited Supply - Call
    छवि भाग # विवरण
    IPP050N06N G

    Mfr.#: IPP050N06N G

    OMO.#: OMO-IPP050N06N-G

    		 MOSFET N-Ch 60V 100A TO220-3
    IPP050N06N G

    Mfr.#: IPP050N06N G

    OMO.#: OMO-IPP050N06N-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
    IPP050N06NG

    Mfr.#: IPP050N06NG

    OMO.#: OMO-IPP050N06NG-1190

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