SIHD3N50DT4-GE3

Mfr. #:: SIHD3N50DT4-GE3
निर्माता:: Vishay / Siliconix
विवरण:: MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
जीवन चक्र:: यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:: SIHD3N50DT4-GE3 डाटा पाना
डेलिभरी:: DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

उत्पादन विशेषता
विशेषता मान

निर्माता:: विसय

उत्पादन कोटि:: MOSFET

RoHS:: Y

माउन्टिङ शैली:: SMD/SMT

प्याकेज / केस:: TO-252-3

च्यानलहरूको संख्या:: 1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:: N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:: 500 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:: 3 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:: 3.2 Ohms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:: 3 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:: 30 V

Qg - गेट चार्ज:: 12 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:: - 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:: + 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:: 69 W

कन्फिगरेसन:: एकल

च्यानल मोड:: वृद्धि

शृङ्खला:: D

ट्रान्जिस्टर प्रकार:: 1 N-Channel

ब्रान्ड:: Vishay / Siliconix

फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:: 1 S

पतन समय:: 13 ns

उत्पादन प्रकार:: MOSFET

उठ्ने समय:: 9 ns

कारखाना प्याक मात्रा:: 1

उपश्रेणी:: MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:: 11 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:: 12 ns

Tags: SIHD3N50DT, SIHD3, SIHD, SIH

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उपलब्धता

स्टक:: Available
अर्डर मा:: 1985
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