RS1E260ATTB1

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

ROHM अर्धचालक

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

SMD/SMT

प्याकेज / केस:

HSOP-8

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

P- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

30 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

80 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

3.1 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

1 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

20 V

Qg - गेट चार्ज:

175 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

40 W

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

प्याकेजिङ:

रील

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 P-Channel

ब्रान्ड:

ROHM अर्धचालक

पतन समय:

320 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

78 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

2500

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

350 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

26 ns

Tags

RS1E2, RS1E, RS1