RQ6E080AJTCR

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

ROHM अर्धचालक

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

SMD/SMT

प्याकेज / केस:

SOT-457T-6

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

30 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

8 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

16.5 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

500 mV

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

12 V

Qg - गेट चार्ज:

16.2 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

1.25 W

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

प्याकेजिङ:

रील

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 N-Channel

ब्रान्ड:

ROHM अर्धचालक

पतन समय:

22 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

16 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

3000

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

65 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

20 ns

भाग # उपनाम:

RQ6E080AJ

Tags

RQ6E08, RQ6E, RQ6