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RM3314-XSNI-T

RM3314-XSNI-T
Mfr. #:
RM3314-XSNI-T
निर्माता:
Adesto Technologies
विवरण:
DRAM 64Kb 1.2V 1MHz SPI Moneta CBRAM IT
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
RM3314-XSNI-T डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
थप जानकारी:
RM3314-XSNI-T थप जानकारी
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
Adesto टेक्नोलोजी
उत्पादन कोटि:
DRAM
RoHS:
Y
प्रकार:
CBRAM
डाटा बस चौडाइ:
32 bit
संगठन:
2 k x 32
प्याकेज / केस:
SOIC-8
मेमोरी साइज:
64 kbit
अधिकतम घडी आवृत्ति:
1 MHz
आपूर्ति भोल्टेज - अधिकतम:
1.98 V
आपूर्ति भोल्टेज - न्यूनतम:
1.17 V
हालको आपूर्ति - अधिकतम:
10 uA
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 40 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 85 C
शृङ्खला:
RM331x
प्याकेजिङ:
रील
ब्रान्ड:
Adesto टेक्नोलोजी
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
उत्पादन प्रकार:
DRAM
कारखाना प्याक मात्रा:
4000
उपश्रेणी:
मेमोरी र डाटा भण्डारण
व्यापार नाम:
मोनेटा
Tags
RM331, RM33, RM3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Moneta RM331 Ultra-low Power Serial Memory
Adesto Technologies Moneta™ RM331 32-256Kbit EEPROM-compatible Serial Memory devices provide an ultra-low power/low-energy solution for the non-volatile memory needs of battery-operated and energy harvesting applications. Featuring Adesto's Conductive Bridging RAM (CBRAM®) resistive technology, the Moneta RM331 Memory devices operate with ultra-low power consumption without sacrificing speed or performance.
छवि भाग # विवरण
RM3314-XSNI-T

Mfr.#: RM3314-XSNI-T

OMO.#: OMO-RM3314-XSNI-T

 DRAM 64Kb 1.2V 1MHz SPI Moneta CBRAM IT
RM3314-XSNI-B

Mfr.#: RM3314-XSNI-B

OMO.#: OMO-RM3314-XSNI-B

 DRAM 64Kb 1.2V 1MHz SPI Moneta CBRAM IT
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
3500
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