SISS60DN-T1-GE3

Mfr. #:: SISS60DN-T1-GE3
निर्माता:: Vishay / Siliconix
विवरण:: MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
जीवन चक्र:: यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:: SISS60DN-T1-GE3 डाटा पाना
डेलिभरी:: DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

उत्पादन विशेषता
विशेषता मान

निर्माता:: विसय

उत्पादन कोटि:: MOSFET

RoHS:: E

प्रविधि:: सि

माउन्टिङ शैली:: SMD/SMT

प्याकेज / केस:: PowerPAK-1212-8

च्यानलहरूको संख्या:: 1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:: N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:: 30 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:: 181.8 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:: 1.31 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:: 1 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:: - 12 V, 16 V

Qg - गेट चार्ज:: 57 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:: - 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:: + 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:: 65.8 W

कन्फिगरेसन:: एकल

च्यानल मोड:: वृद्धि

व्यापार नाम:: PowerPAK

प्याकेजिङ:: रील

ट्रान्जिस्टर प्रकार:: 1 N-Channel

ब्रान्ड:: Vishay / Siliconix

फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:: 84 S

पतन समय:: 6 ns

उत्पादन प्रकार:: MOSFET

उठ्ने समय:: 7 ns

कारखाना प्याक मात्रा:: 3000

उपश्रेणी:: MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:: 30 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:: 18 ns

Tags: SISS6, SISS, SIS

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भाग #

विवरण

Mfr.#: SISS60DN-T1-GE3

OMO.#: OMO-SISS60DN-T1-GE3

MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

उपलब्धता

स्टक:: Available
अर्डर मा:: 1986
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500: ~~US$ ०.८३~~; ~~US$ ४१३.००~~

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