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TK290A65Y,S4X

TK290A65Y,S4X
Mfr. #:
TK290A65Y,S4X
निर्माता:
Toshiba
विवरण:
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
TK290A65Y,S4X डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK290A65Y,S4X DatasheetTK290A65Y,S4X Datasheet (P4-P6)TK290A65Y,S4X Datasheet (P7-P9)TK290A65Y,S4X Datasheet (P10)
ECAD Model:
थप जानकारी:
TK290A65Y,S4X थप जानकारी
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
तोशिबा
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
प्वाल मार्फत
प्याकेज / केस:
TO-220SIS-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
650 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
11.5 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
230 mOhms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
3 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
30 V
Qg - गेट चार्ज:
25 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
-
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
35 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
व्यापार नाम:
DTMOSV
प्याकेजिङ:
ट्यूब
शृङ्खला:
TK290A65Y
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
ब्रान्ड:
तोशिबा
पतन समय:
8.5 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
25 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
50
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
170 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
65 ns
एकाइ वजन:
0.068784 oz
Tags
TK290A, TK290, TK29, TK2
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
X35 Pb-F Power Mosfet Transistor To-220Sis Pd=35W F=1Mhz Rohs Compliant: Yes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
***et
Power MOSFET N-Channel 650V 11.5A 3-Pin SC-67 Tube
***i-Key
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
DTMOS V Super Junction MOSFETs
Toshiba DTMOS V Super Junction MOSFETs are the next generation of N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOS V operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On Resistance RDS(ON) compared to the DTMOS IV MOSFETs. The DTMOS V has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of RDS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOS V Super Junction MOSFETs are ideal to improve the performance, and facilitate the design of power conversion applications. Applications that include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting. Learn More
छवि भाग # विवरण
L6562ADTR

Mfr.#: L6562ADTR

OMO.#: OMO-L6562ADTR

 Power Factor Correction - PFC HV H-Bridge driver
MDB6S

Mfr.#: MDB6S

OMO.#: OMO-MDB6S

 Bridge Rectifiers 1A Bridge Rectifier
ES1J

Mfr.#: ES1J

OMO.#: OMO-ES1J

 Rectifiers 1.0 A Ultra Fast Recovery Rect
FOD817A3SD

Mfr.#: FOD817A3SD

OMO.#: OMO-FOD817A3SD

 Transistor Output Optocouplers Opto Phototransistor Output SM-DIP4
NCP1075STBT3G

Mfr.#: NCP1075STBT3G

OMO.#: OMO-NCP1075STBT3G

 AC/DC Converters HV SWITCHER FOR LOW POWER
MCP1703AT-3302E/MB

Mfr.#: MCP1703AT-3302E/MB

OMO.#: OMO-MCP1703AT-3302E-MB

 LDO Voltage Regulators LOW Iq, High Vin LDO 3.3V, SOT-89
LM61BIM3/NOPB

Mfr.#: LM61BIM3/NOPB

OMO.#: OMO-LM61BIM3-NOPB

 Board Mount Temperature Sensors 2.7V ANA TEMP SENSOR
MHBBWT-0000-000C0BE250E

Mfr.#: MHBBWT-0000-000C0BE250E

OMO.#: OMO-MHBBWT-0000-000C0BE250E

 High Power LEDs - White White, 590lm
3049

Mfr.#: 3049

OMO.#: OMO-3049-KEYSTONE-ELECTRONICS

 WASHER SHOULDER #4 NYLON
MCP1703AT-3302E/MB

Mfr.#: MCP1703AT-3302E/MB

OMO.#: OMO-MCP1703AT-3302E-MB-MICROCHIP-TECHNOLOGY

 LDO Voltage Regulators LOW Iq, High Vin LDO 3.3V, SOT-89
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
1984
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सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
1
US$ १.५६
US$ १.५६
10
US$ १.२५
US$ १२.५०
100
US$ १.००
US$ १००.००
500
US$ ०.८८
US$ ४३८.००
1000
US$ ०.७२
US$ ७२५.००
2500
US$ ०.६८
US$ १ ६९०.००
5000
US$ ०.६५
US$ ३ २५५.००
10000
US$ ०.६२
US$ ६ २५०.००
2021 देखि कम आपूर्तिमा अर्धचालकको कारण, तलको मूल्य 2021 अघि सामान्य मूल्य हो। कृपया पुष्टि गर्न सोधपुछ पठाउनुहोस्।
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