IXFL70N60Q2

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

IXYS

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

प्वाल मार्फत

प्याकेज / केस:

TO-264-3

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

600 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

37 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

92 mOhms

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

30 V

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

360 W

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

व्यापार नाम:

HyperFET

प्याकेजिङ:

ट्यूब

उचाइ:

26.42 mm

लम्बाइ:

20.29 mm

शृङ्खला:

IXFL70N60

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 N-Channel

चौडाइ:

5.21 mm

ब्रान्ड:

IXYS

पतन समय:

12 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

25 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

25

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

60 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

26 ns

एकाइ वजन:

0.264555 oz

Tags

IXFL, IXF