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TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4
Mfr. #:
TC58BYG0S3HBAI4
निर्माता:
Toshiba Memory
विवरण:
NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
TC58BYG0S3HBAI4 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
तोशिबा
उत्पादन कोटि:
NAND फ्ल्यास
RoHS:
Y
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
TFBGA-63
मेमोरी साइज:
1 Gbit
इन्टरफेस प्रकार:
समानान्तर
संगठन:
128 M x 8
समय प्रकार:
सिंक्रोनस
डाटा बस चौडाइ:
8 bit
आपूर्ति भोल्टेज - न्यूनतम:
1.7 V
आपूर्ति भोल्टेज - अधिकतम:
1.95 V
हालको आपूर्ति - अधिकतम:
30 mA
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 40 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 85 C
प्याकेजिङ:
ट्रे
मेमोरी प्रकार:
NAND
उत्पादन:
NAND फ्ल्यास
गति:
25 ns
वास्तुकला:
ब्लक मेटाउनुहोस्
ब्रान्ड:
तोशिबा मेमोरी
अधिकतम घडी आवृत्ति:
-
नमी संवेदनशील:
हो
उत्पादन प्रकार:
NAND फ्ल्यास
कारखाना प्याक मात्रा:
210
उपश्रेणी:
मेमोरी र डाटा भण्डारण
Tags
TC58BYG0S3HBAI4, TC58BYG0S3HB, TC58BYG0S3, TC58BYG0, TC58BY, TC58B, TC58, TC5
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Email: info@omo-ic.com

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
1Gbit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=1.7 to 1.95V
***i-Key
1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
TC58BYG0S3HBAI4
DISTI # TC58BYG0S3HBAI4-ND		Toshiba Semiconductor and Storage Products1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Temporarily Out of Stock
  • 210:$3.0750
TC58BYG0S3HBAI4
DISTI # TC58BYG0S3HBAI4		Toshiba America Electronic Components1Gbit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TC58BYG0S3HBAI4)
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Americas - 0
  • 210:$2.2900
  • 420:$2.2900
  • 840:$2.1900
  • 1260:$2.1900
  • 2100:$2.0900
TC58BYG0S3HBAI4
DISTI # 757-TC58BYG0S3HBAI4		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant		0
  • 1:$4.2000
  • 10:$3.3800
  • 100:$3.0800
  • 250:$2.7800
  • 500:$2.5000
  • 1000:$2.1000
  • 2500:$2.0000
छवि भाग # विवरण
TH58NVG3S0HTAI0

Mfr.#: TH58NVG3S0HTAI0

OMO.#: OMO-TH58NVG3S0HTAI0

 NAND Flash 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
MT29F128G08CFABBWP-12IT:B TR

Mfr.#: MT29F128G08CFABBWP-12IT:B TR

OMO.#: OMO-MT29F128G08CFABBWP-12IT-B-TR

 NAND Flash MLC 128G 16GX8 TSOP DDP
MT29F16G08CBACAWP:C TR

Mfr.#: MT29F16G08CBACAWP:C TR

OMO.#: OMO-MT29F16G08CBACAWP-C-TR

 NAND Flash MLC 16G 2GX8 TSOP
MT28FW02GBBA1HPC-0AAT TR

Mfr.#: MT28FW02GBBA1HPC-0AAT TR

OMO.#: OMO-MT28FW02GBBA1HPC-0AAT-TR

 NOR Flash PARALLEL NOR SLC 128MX16 LBGA DDP
S29AL016J70TFI010

Mfr.#: S29AL016J70TFI010

OMO.#: OMO-S29AL016J70TFI010

 NOR Flash 16Mb 3V 70ns Parallel NOR Flash
S29AL008J70BFI020

Mfr.#: S29AL008J70BFI020

OMO.#: OMO-S29AL008J70BFI020

 NOR Flash 8Mb 3V 70ns Parallel NOR Flash
TH58NVG3S0HTAI0

Mfr.#: TH58NVG3S0HTAI0

OMO.#: OMO-TH58NVG3S0HTAI0-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 EEPROM 3.3V, 8 Gbit CMOS NAND EEPROM
S29AL008J70BFI020

Mfr.#: S29AL008J70BFI020

OMO.#: OMO-S29AL008J70BFI020-CYPRESS-SEMICONDUCTOR

 IC FLASH 8M PARALLEL 48FBGA AL-J
S29AL016J70TFI010

Mfr.#: S29AL016J70TFI010

OMO.#: OMO-S29AL016J70TFI010-CYPRESS-SEMICONDUCTOR

 IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
MT28FW02GBBA1HPC-0AAT TR

Mfr.#: MT28FW02GBBA1HPC-0AAT TR

OMO.#: OMO-MT28FW02GBBA1HPC-0AAT-TR-MICRON-TECHNOLOGY

 IC FLASH 2G PARALLEL 64LBGA Automotive, AEC-Q100
उपलब्धता
स्टक:
210
अर्डर मा:
2193
मात्रा प्रविष्ट गर्नुहोस्:
TC58BYG0S3HBAI4 को हालको मूल्य सन्दर्भको लागि मात्र हो, यदि तपाइँ उत्तम मूल्य प्राप्त गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हाम्रो बिक्री टोली sales@omo-ic.com मा सोधपुछ वा प्रत्यक्ष इमेल पेश गर्नुहोस्।
सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
1
US$ २.७७
US$ २.७७
10
US$ २.४९
US$ २४.९०
25
US$ २.४५
US$ ६१.२५
50
US$ २.४४
US$ १२२.००
100
US$ २.१८
US$ २१८.००
250
US$ २.११
US$ ५२७.५०
500
US$ २.१०
US$ १ ०५०.००
1000
US$ १.९६
US$ १ ९६०.००
2500
US$ १.८७
US$ ४ ६७५.००
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