SSM6N55NU,LF

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

तोशिबा

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

SMD/SMT

प्याकेज / केस:

UDFN-6

च्यानलहरूको संख्या:

2 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

30 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

4 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

64 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

2.5 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

20 V

Qg - गेट चार्ज:

2.5 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

1 W

कन्फिगरेसन:

दोहोरो

प्याकेजिङ:

रील

उचाइ:

0.75 mm

लम्बाइ:

2 mm

शृङ्खला:

SSM6N55

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

2 N-Channel

चौडाइ:

2 mm

ब्रान्ड:

तोशिबा

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

कारखाना प्याक मात्रा:

3000

उपश्रेणी:

MOSFETs

Tags

SSM6N5, SSM6N, SSM6, SSM