NVMTS0D6N04CLTXG

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

ON अर्धचालक

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

SMD/SMT

प्याकेज / केस:

PQFN-88-8

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

40 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

554.5 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

420 uOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

1.2 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

10 V

Qg - गेट चार्ज:

126 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 175 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

245.4 W

कन्फिगरेसन:

एकल ट्रिपल स्रोत क्वाड ड्रेन

च्यानल मोड:

वृद्धि

योग्यता:

AEC-Q101

प्याकेजिङ:

रील

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 N-Channel Power MOSFET

ब्रान्ड:

ON अर्धचालक

फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:

323 S

पतन समय:

84.7 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

111 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

3000

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

180 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

89.4 ns

Tags

NVMTS0D, NVMT, NVM