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IPD50R399CPBTMA1

IPD50R399CPBTMA1
Mfr. #:
IPD50R399CPBTMA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विवरण:
MOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2 CoolMOS CP
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
IPD50R399CPBTMA1 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IPD50R399CPBTMA1 DatasheetIPD50R399CPBTMA1 Datasheet (P4-P6)IPD50R399CPBTMA1 Datasheet (P7-P9)IPD50R399CPBTMA1 Datasheet (P10)
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
इन्फिनोन
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
TO-252-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
500 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
9 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
360 mOhms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
2.5 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V
Qg - गेट चार्ज:
23 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
83 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
प्याकेजिङ:
रील
उचाइ:
2.3 mm
लम्बाइ:
6.5 mm
शृङ्खला:
XPD50R399
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
चौडाइ:
6.22 mm
ब्रान्ड:
Infineon टेक्नोलोजीहरू
पतन समय:
14 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
14 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
2500
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
80 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
35 ns
भाग # उपनाम:
IPD50R399CPBTMA1 SP000307379
एकाइ वजन:
0.139332 oz
Tags
IPD50R39, IPD50R3, IPD50R, IPD50, IPD5, IPD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
IPD50R399CPBTMA1
DISTI # IPD50R399CPBTMA1-ND		Infineon Technologies AGLOW POWER_LEGACY
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    IPD50R399CPBTMA1
    DISTI # IPD50R399CPBTMA1    		Infineon Technologies AG- Bulk (Alt: IPD50R399CPBTMA1)
    Min Qty: 410
    Container: Bulk    		Americas - 0
    • 4100:$0.7749
    • 2050:$0.7889
    • 1230:$0.8159
    • 820:$0.8469
    • 410:$0.8779
    IPD50R399CP
    DISTI # 726-IPD50R399CP    		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2 CoolMOS CP
    RoHS: Compliant    		0
      IPD50R399CPBTMA1
      DISTI # 726-IPD50R399CPBTMA1      		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2 CoolMOS CP
      RoHS: Compliant      		0
        IPD50R399CPBTMA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.399ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
        RoHS: Compliant        		158650
        • 1000:$0.8000
        • 500:$0.8500
        • 100:$0.8800
        • 25:$0.9200
        • 1:$0.9900
        IPD50R399CPBTMA1
        DISTI # 8259174P        		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 9A 550V COOLMOS TO252, RL390
        • 500:£0.9560
        • 200:£1.1030
        • 50:£1.2500
        छवि भाग # विवरण
        IPD50R399CPATMA1

        Mfr.#: IPD50R399CPATMA1

        OMO.#: OMO-IPD50R399CPATMA1

        		 MOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2
        IPD50R399CPBTMA1

        Mfr.#: IPD50R399CPBTMA1

        OMO.#: OMO-IPD50R399CPBTMA1

        		 MOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2 CoolMOS CP
        IPD50R399CP

        Mfr.#: IPD50R399CP

        OMO.#: OMO-IPD50R399CP-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 MOSFET N-CH 550V 9A TO-252
        IPD50R399CP/S65R620D

        Mfr.#: IPD50R399CP/S65R620D

        OMO.#: OMO-IPD50R399CP-S65R620D-1190

        		 नयाँ र मौलिक
        IPD50R399CPBTMA1

        Mfr.#: IPD50R399CPBTMA1

        OMO.#: OMO-IPD50R399CPBTMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 LOW POWER_LEGACY
        IPD50R399CPATMA1

        Mfr.#: IPD50R399CPATMA1

        OMO.#: OMO-IPD50R399CPATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 MOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2
        उपलब्धता
        स्टक:
        Available
        अर्डर मा:
        2500
        मात्रा प्रविष्ट गर्नुहोस्:
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