DMN2080UCB4-7

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

डायोड सम्मिलित

उत्पादन कोटि:

MOSFET

प्रविधि:

सि

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

20 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

4 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

43 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

400 mV

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

5 V

Qg - गेट चार्ज:

7.4 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

1.25 W

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 N-Channel

ब्रान्ड:

डायोड सम्मिलित

पतन समय:

816 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

268 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

3000

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

1245 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

152 ns

Tags

DMN20, DMN2, DMN