SIA921EDJ-T4-GE3

SIA921EDJ-T4-GE3
Mfr. #:
SIA921EDJ-T4-GE3
निर्माता:
Vishay / Siliconix
विवरण:
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
SIA921EDJ-T4-GE3 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIA921EDJ-T4-GE3 DatasheetSIA921EDJ-T4-GE3 Datasheet (P4-P6)SIA921EDJ-T4-GE3 Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
थप जानकारी:
SIA921EDJ-T4-GE3 थप जानकारी
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
विसय
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
PowerPAK-SC70-6
च्यानलहरूको संख्या:
2 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
P- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
20 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
4.5 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
59 mOhms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
500 mV
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
12 V
Qg - गेट चार्ज:
23 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
7.8 W
कन्फिगरेसन:
दोहोरो
च्यानल मोड:
वृद्धि
व्यापार नाम:
TrenchFET
प्याकेजिङ:
रील
शृङ्खला:
SIA
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
2 P-Channel
ब्रान्ड:
Vishay / Siliconix
फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:
11 S
पतन समय:
10 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
20 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
3000
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
25 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
20 ns
Tags
SIA921EDJ-T, SIA921, SIA92, SIA9, SIA
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
***et
DUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Integrated MOSFET Solutions
Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density, increase efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
SIA921EDJ-T4-GE3
DISTI # V36:1790_09216859
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
RoHS: Compliant
0
  • 3000000:$0.2209
  • 1500000:$0.2210
  • 300000:$0.2303
  • 30000:$0.2444
  • 3000:$0.2467
SIA921EDJ-T4-GE3
DISTI # SIA921EDJ-T4-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.2467
SIA921EDJ-T4-GE3
DISTI # SIA921EDJ-T4-GE3
Vishay IntertechnologiesDUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel (Alt: SIA921EDJ-T4-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
Americas - 0
  • 30000:$0.1699
  • 18000:$0.1749
  • 12000:$0.1799
  • 6000:$0.1879
  • 3000:$0.1939
SIA921EDJ-T4-GE3
DISTI # 78-SIA921EDJ-T4-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
RoHS: Compliant
0
  • 1:$0.6500
  • 10:$0.5170
  • 100:$0.3930
  • 500:$0.3240
  • 1000:$0.2600
  • 3000:$0.2350
  • 6000:$0.2190
  • 9000:$0.2110
  • 24000:$0.2030
छवि भाग # विवरण
SIA921EDJ-T1-GE3

Mfr.#: SIA921EDJ-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIA921EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
SIA921EDJ-T4-GE3

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MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
SIA921EDJ-T1-GE3

Mfr.#: SIA921EDJ-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIA921EDJ-T1-GE3-VISHAY

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
SIA921EDJ-T1/GE3

Mfr.#: SIA921EDJ-T1/GE3

OMO.#: OMO-SIA921EDJ-T1-GE3-1190

नयाँ र मौलिक
SIA921EDJ-T4-GE3

Mfr.#: SIA921EDJ-T4-GE3

OMO.#: OMO-SIA921EDJ-T4-GE3-VISHAY

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
SIA921EDJT1GE3

Mfr.#: SIA921EDJT1GE3

OMO.#: OMO-SIA921EDJT1GE3-1190

Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.059ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
1000
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सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
1
US$ ०.६५
US$ ०.६५
10
US$ ०.५२
US$ ५.१७
100
US$ ०.३९
US$ ३९.३०
500
US$ ०.३२
US$ १६२.००
1000
US$ ०.२६
US$ २६०.००
2021 देखि कम आपूर्तिमा अर्धचालकको कारण, तलको मूल्य 2021 अघि सामान्य मूल्य हो। कृपया पुष्टि गर्न सोधपुछ पठाउनुहोस्।
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