TSM5055DCR RLG

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

ताइवान अर्धचालक

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

च्यानलहरूको संख्या:

2 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

30 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

38 A, 107 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

8.8 mOhms, 2.7 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

1.2 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

10 V

Qg - गेट चार्ज:

9.3 nC, 49 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

30 W, 69 W

कन्फिगरेसन:

दोहोरो

च्यानल मोड:

वृद्धि

प्याकेजिङ:

रील

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

असममित डुअल एन-च्यानल पावर MOSFET

ब्रान्ड:

ताइवान अर्धचालक

फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:

27 S, 47 S

पतन समय:

14 ns, 49 ns

नमी संवेदनशील:

हो

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

65 ns, 79 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

2500

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

8.2 ns, 34 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

4.8 ns, 11 ns

Tags

TSM50, TSM5, TSM