RN2911FE(TE85L,F)

RN2911FE(TE85L,F)
Mfr. #:
RN2911FE(TE85L,F)
निर्माता:
Toshiba
विवरण:
Bipolar Transistors - Pre-Biased ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
RN2911FE(TE85L,F) डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
RN2911FE(TE85L,F) DatasheetRN2911FE(TE85L,F) Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
तोशिबा
उत्पादन कोटि:
द्विध्रुवी ट्रान्जिस्टर - पूर्व-पक्षपाती
कन्फिगरेसन:
दोहोरो
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
PNP
विशिष्ट इनपुट प्रतिरोधक:
10 kOhms
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
ES-6
DC कलेक्टर/बेस गेन hfe न्यूनतम:
120
अधिकतम परिचालन आवृत्ति:
200 MHz
कलेक्टर- एमिटर भोल्टेज VCEO अधिकतम:
- 50 V
निरन्तर कलेक्टर वर्तमान:
- 100 mA
पीक डीसी कलेक्टर वर्तमान:
- 100 mA
Pd - शक्ति अपव्यय:
100 mW
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
प्याकेजिङ:
रील
उत्सर्जक - आधार भोल्टेज VEBO:
- 5 V
ब्रान्ड:
तोशिबा
च्यानल मोड:
वृद्धि
अधिकतम DC कलेक्टर वर्तमान:
- 100 mA
उत्पादन प्रकार:
BJTs - द्विध्रुवी ट्रान्जिस्टर - पूर्व-पक्षपाती
कारखाना प्याक मात्रा:
4000
उपश्रेणी:
ट्रान्जिस्टरहरू
Tags
RN2911FE(T, RN2911F, RN2911, RN291, RN29, RN2
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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***i-Key
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
छवि भाग # विवरण
RN2911FE(TE85L,F)

Mfr.#: RN2911FE(TE85L,F)

OMO.#: OMO-RN2911FE-TE85L-F-

Bipolar Transistors - Pre-Biased ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
RN2911FE

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OMO.#: OMO-RN2911FE-1190

नयाँ र मौलिक
RN2911FETE85LF

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RN2911FE(TE85LF)CT-ND

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RN2911FE(TE85LF)DKR-ND

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RN2911FE(TE85LF)TR-ND

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नयाँ र मौलिक
RN2911FE , MAX8510EXK30-

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उपलब्धता
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