RN1611(TE85L,F)

RN1611(TE85L,F)
Mfr. #:
RN1611(TE85L,F)
निर्माता:
Toshiba
विवरण:
Bipolar Transistors - Pre-Biased SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 300mW F 250MHz
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
RN1611(TE85L,F) डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
RN1611(TE85L,F) DatasheetRN1611(TE85L,F) Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
तोशिबा
उत्पादन कोटि:
द्विध्रुवी ट्रान्जिस्टर - पूर्व-पक्षपाती
कन्फिगरेसन:
दोहोरो
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
NPN
विशिष्ट इनपुट प्रतिरोधक:
10 kOhms
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
SM-6
DC कलेक्टर/बेस गेन hfe न्यूनतम:
120
अधिकतम परिचालन आवृत्ति:
250 MHz
कलेक्टर- एमिटर भोल्टेज VCEO अधिकतम:
50 V
निरन्तर कलेक्टर वर्तमान:
100 mA
पीक डीसी कलेक्टर वर्तमान:
100 mA
Pd - शक्ति अपव्यय:
300 mW
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
प्याकेजिङ:
रील
उत्सर्जक - आधार भोल्टेज VEBO:
5 V
ब्रान्ड:
तोशिबा
च्यानल मोड:
वृद्धि
अधिकतम DC कलेक्टर वर्तमान:
100 mA
उत्पादन प्रकार:
BJTs - द्विध्रुवी ट्रान्जिस्टर - पूर्व-पक्षपाती
कारखाना प्याक मात्रा:
3000
उपश्रेणी:
ट्रान्जिस्टरहरू
Tags
RN1611(T, RN1611, RN161, RN16, RN1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
छवि भाग # विवरण
RN1611(TE85L,F)

Mfr.#: RN1611(TE85L,F)

OMO.#: OMO-RN1611-TE85L-F-

Bipolar Transistors - Pre-Biased SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 300mW F 250MHz
RN1611(TE85LF)CT-ND

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नयाँ र मौलिक
RN1611(TE85LF)DKR-ND

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नयाँ र मौलिक
RN1611(XM)

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उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
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US$ ०.१३
US$ १२.८०
500
US$ ०.१०
US$ ५१.००
1000
US$ ०.०८
US$ ७८.००
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