OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
नमस्कार, साइन इन गर्नुहोस्मेरो खाता
0 कार्ट

R6006JND3TL1

R6006JND3TL1
Mfr. #:
R6006JND3TL1
निर्माता:
Rohm Semiconductor
विवरण:
MOSFET NCH 600V 6A POWER
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
R6006JND3TL1 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
थप जानकारी:
R6006JND3TL1 थप जानकारी
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
ROHM अर्धचालक
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
TO-252-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
600 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
6 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
936 mOhms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
5 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
30 V
Qg - गेट चार्ज:
15.5 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
86 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
प्याकेजिङ:
रील
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
ब्रान्ड:
ROHM अर्धचालक
पतन समय:
27 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
14 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
2500
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
30 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
16 ns
Tags
R6006J, R6006, R600, R60
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: info@omo-ic.com

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs
ROHM Semiconductor R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs incorporate fast recovery diodes to optimize board space while providing 600V in five package types. These third-generation metal-oxide semiconductor field-effect transistors are ideal for power supplies with integrated inverters. The devices' high-speed switching combined with an internal diode with high Reverse Recovery Time (trr) characteristics optimize efficiency and lower loss while contributing to smaller designs.
Silicon Power MOSFETs
ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultrafast switching speeds and low on-resistance. The MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 package, for space saving in designs.
छवि भाग # विवरण
R6006JNJGTL

Mfr.#: R6006JNJGTL

OMO.#: OMO-R6006JNJGTL

 MOSFET NCH 600V 6A POWER
R6006JND3TL1

Mfr.#: R6006JND3TL1

OMO.#: OMO-R6006JND3TL1

 MOSFET NCH 600V 6A POWER
R6006JNXC7G

Mfr.#: R6006JNXC7G

OMO.#: OMO-R6006JNXC7G

 MOSFET NCH 600V 6A POWER MOSFET
R6006JNJGTL

Mfr.#: R6006JNJGTL

OMO.#: OMO-R6006JNJGTL-1190

 R6006JNJ IS A POWER MOSFET WITH
R6006JNJ

Mfr.#: R6006JNJ

OMO.#: OMO-R6006JNJ-1190

 नयाँ र मौलिक
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
2500
मात्रा प्रविष्ट गर्नुहोस्:
R6006JND3TL1 को हालको मूल्य सन्दर्भको लागि मात्र हो, यदि तपाइँ उत्तम मूल्य प्राप्त गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हाम्रो बिक्री टोली sales@omo-ic.com मा सोधपुछ वा प्रत्यक्ष इमेल पेश गर्नुहोस्।
सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
1
US$ २.००
US$ २.००
10
US$ १.७०
US$ १७.००
100
US$ १.३६
US$ १३६.००
500
US$ १.१९
US$ ५९५.००
1000
US$ ०.९८
US$ ९८५.००
2021 देखि कम आपूर्तिमा अर्धचालकको कारण, तलको मूल्य 2021 अघि सामान्य मूल्य हो। कृपया पुष्टि गर्न सोधपुछ पठाउनुहोस्।
बाट सुरु गर्नुहोस्
नवीनतम उत्पादनहरू
More Newest Products
Top