AS4C512M8D3LB-10BIN

AS4C512M8D3LB-10BIN
Mfr. #:
AS4C512M8D3LB-10BIN
निर्माता:
Alliance Memory
विवरण:
DRAM 4G - B DIE - 10NS OPTION 512M x 8 1.35V 933MHz DDR3-1866bps/pin Industrial (-40 95 C) 78-ball FBGA
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
AS4C512M8D3LB-10BIN डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
गठबन्धन मेमोरी
उत्पादन कोटि:
DRAM
RoHS:
Y
प्रकार:
SDRAM - DDR3L
डाटा बस चौडाइ:
8 bit
संगठन:
512 M x 8
प्याकेज / केस:
FBGA-78
मेमोरी साइज:
4 Gbit
अधिकतम घडी आवृत्ति:
933 MHz
आपूर्ति भोल्टेज - अधिकतम:
1.45 V
आपूर्ति भोल्टेज - न्यूनतम:
1.283 V
हालको आपूर्ति - अधिकतम:
60 mA
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 40 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 95 C
शृङ्खला:
AS4C512M8D3LB-10
प्याकेजिङ:
ट्रे
ब्रान्ड:
गठबन्धन मेमोरी
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
नमी संवेदनशील:
हो
उत्पादन प्रकार:
DRAM
कारखाना प्याक मात्रा:
220
उपश्रेणी:
मेमोरी र डाटा भण्डारण
Tags
AS4C512M8D3LB-10, AS4C512M8D3LB, AS4C512M8D3L, AS4C512M8, AS4C5, AS4C, AS4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
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छवि भाग # विवरण
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DRAM 4G 1.35V 800MHz 512Mx8 DDR3 A-Temp
AS4C512M8D3LB-12BIN

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DRAM 4G 1.35V 800MHz 512M x 8 DDR3 I-Temp
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DRAM 4G 1.35V 800MHz 512Mx8 DDR3 A-Temp
AS4C512M8D3-12BAN

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DRAM 4G 1.5V 1600Mhz 512M x 8 DDR3
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DRAM 4G 1.35V 1600Mhz 512M x 8 DDR3
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IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
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DRAM 4G 1.35V 1600Mhz 512M x 8 DDR3
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IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Automotive, AEC-Q100
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IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
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IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
उपलब्धता
स्टक:
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440
US$ ८.८५
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US$ ९ ३०६.००
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