SIHF840LCS-GE3

Mfr. #:: SIHF840LCS-GE3
निर्माता:: Vishay / Siliconix
विवरण:: MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
जीवन चक्र:: यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:: SIHF840LCS-GE3 डाटा पाना
डेलिभरी:: DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

उत्पादन विशेषता
विशेषता मान

निर्माता:: विसय

उत्पादन कोटि:: MOSFET

RoHS:: Y

प्रविधि:: सि

माउन्टिङ शैली:: SMD/SMT

प्याकेज / केस:: TO-263-3

च्यानलहरूको संख्या:: 1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:: N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:: 500 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:: 8 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:: 850 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:: 2 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:: 30 V

Qg - गेट चार्ज:: 39 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:: - 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:: + 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:: 125 W

कन्फिगरेसन:: एकल

च्यानल मोड:: वृद्धि

शृङ्खला:: SIH

ट्रान्जिस्टर प्रकार:: 1 N-Channel

ब्रान्ड:: Vishay / Siliconix

फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:: 4 S

पतन समय:: 19 ns

उत्पादन प्रकार:: MOSFET

उठ्ने समय:: 25 ns

कारखाना प्याक मात्रा:: 1

उपश्रेणी:: MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:: 27 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:: 12 ns

Tags: SIHF8, SIHF, SIH

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विवरण

Mfr.#: SIHF840LCS-GE3

OMO.#: OMO-SIHF840LCS-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

उपलब्धता

स्टक:: Available
अर्डर मा:: 4000
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