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SQD25N15-52-T4_GE3

SQD25N15-52-T4_GE3
Mfr. #:
SQD25N15-52-T4_GE3
निर्माता:
Vishay / Siliconix
विवरण:
MOSFET 150V Vds 20V Vgs TO-252
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
SQD25N15-52-T4_GE3 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
थप जानकारी:
SQD25N15-52-T4_GE3 थप जानकारी
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
विसय
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
TO-252-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
150 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
25 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
52 mOhms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
2.5 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V
Qg - गेट चार्ज:
51 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 175 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
107 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
योग्यता:
AEC-Q101
व्यापार नाम:
TrenchFET
शृङ्खला:
SQ
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
ब्रान्ड:
Vishay / Siliconix
फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:
33 S
पतन समय:
12 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
21 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
1
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
20 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
11 ns
Tags
SQD25N1, SQD25, SQD2, SQD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
SQ Automotive Power MOSFETs
Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified that are produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in a wide variety of packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK SO-8, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-Channel co-packages.
छवि भाग # विवरण
SQD25N15-52_GE3

Mfr.#: SQD25N15-52_GE3

OMO.#: OMO-SQD25N15-52-GE3-05E

 MOSFET 150V 25A 136W AEC-Q101 Qualified
SQD25N15-52-T4_GE3

Mfr.#: SQD25N15-52-T4_GE3

OMO.#: OMO-SQD25N15-52-T4-GE3

 MOSFET 150V Vds 20V Vgs TO-252
SQD25N15-52-GE3

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OMO.#: OMO-SQD25N15-52-GE3-F5E

 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQD25N15-52_GE3
SQD25N15-52-GE3

Mfr.#: SQD25N15-52-GE3

OMO.#: OMO-SQD25N15-52-GE3-317

 RF Bipolar Transistors MOSFET 150V 25A 136W 5.2mohm @ 10V
SQD25N15-52_GE3

Mfr.#: SQD25N15-52_GE3

OMO.#: OMO-SQD25N15-52-GE3-VISHAY

 MOSFET N-CH 150V 25A TO252
SQD25N15-52

Mfr.#: SQD25N15-52

OMO.#: OMO-SQD25N15-52-1190

 नयाँ र मौलिक
SQD25N15-52-E3

Mfr.#: SQD25N15-52-E3

OMO.#: OMO-SQD25N15-52-E3-1190

 नयाँ र मौलिक
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
3500
मात्रा प्रविष्ट गर्नुहोस्:
SQD25N15-52-T4_GE3 को हालको मूल्य सन्दर्भको लागि मात्र हो, यदि तपाइँ उत्तम मूल्य प्राप्त गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हाम्रो बिक्री टोली sales@omo-ic.com मा सोधपुछ वा प्रत्यक्ष इमेल पेश गर्नुहोस्।
सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
2500
US$ ०.६०
US$ १ ५१०.००
5000
US$ ०.५७
US$ २ ८७०.००
10000
US$ ०.५५
US$ ५ ५२०.००
2021 देखि कम आपूर्तिमा अर्धचालकको कारण, तलको मूल्य 2021 अघि सामान्य मूल्य हो। कृपया पुष्टि गर्न सोधपुछ पठाउनुहोस्।
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