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FDP4D5N10C

FDP4D5N10C
Mfr. #:
FDP4D5N10C
निर्माता:
ON Semiconductor
विवरण:
MOSFET FET 100V 128A 4.5 mOhm
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
FDP4D5N10C डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
ON अर्धचालक
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
प्वाल मार्फत
प्याकेज / केस:
TO-220-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
100 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
128 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
4.5 mOhms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
2 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V
Qg - गेट चार्ज:
68 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 175 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
150 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
प्याकेजिङ:
ट्यूब
ब्रान्ड:
ON अर्धचालक
फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:
134 S
पतन समय:
13 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
49 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
800
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
41 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
29 ns
Tags
FDP4, FDP
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Shielded Gate PowerTrench MOSFET N-Channel 100V 128A 4.5m Ohm 3-Pin TO-220 Tube
***ical
Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
***ark
MOSFET, N-CH, 100V, 128A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:128A; On Resistance Rds(on):0.004ohm; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
FDP4D5N10C
DISTI # V99:2348_21690341		ON SemiconductorFET ENGR DEV-NOT REL800
  • 100:$4.6490
  • 25:$4.8949
  • 10:$5.3390
  • 1:$6.4691
FDP4D5N10C
DISTI # V36:1790_21690341		ON SemiconductorFET ENGR DEV-NOT REL0
    FDP4D5N10C
    DISTI # FDP4D5N10C-ND    		ON SemiconductorFET ENGR DEV-NOT REL
    RoHS: Not compliant
    Min Qty: 800
    Container: Tube    		Temporarily Out of Stock
    • 800:$3.8128
    FDP4D5N10C
    DISTI # 31263261    		ON SemiconductorFET ENGR DEV-NOT REL800
    • 100:$4.9708
    • 25:$5.2546
    • 10:$5.7233
    • 3:$6.9472
    FDP4D5N10C
    DISTI # FDP4D5N10C    		ON SemiconductorShielded Gate PowerTrench MOSFET N-Channel 100V 128A 4.5m Ohm 3-Pin TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: FDP4D5N10C)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 800
    Container: Tube    		Americas - 0
    • 4800:$2.6900
    • 8000:$2.6900
    • 800:$2.7900
    • 1600:$2.7900
    • 3200:$2.7900
    FDP4D5N10C
    DISTI # 65AC4707    		ON SemiconductorFDP4D5N10C0
    • 500:$2.8500
    • 250:$2.9400
    • 100:$3.5000
    • 50:$4.0500
    • 25:$4.3100
    • 10:$4.9300
    • 1:$5.6900
    FDP4D5N10C
    DISTI # 863-FDP4D5N10C    		ON SemiconductorMOSFET FET 100V 128A 4.5 mOhm
    RoHS: Compliant    		0
    • 1:$5.8000
    • 10:$4.9300
    • 100:$4.2700
    • 250:$4.0500
    • 500:$3.6400
    • 1000:$3.0700
    • 2500:$2.9100
    FDP4D5N10C
    DISTI # 1811859    		ON SemiconductorFET 100V 4.5 MOHM, TU798
    • 1600:£2.1450
    • 800:£2.2980
    FDP4D5N10CON Semiconductor 500
    • 1:$7.9300
    • 100:$5.0700
    • 500:$4.1800
    • 1000:$3.8400
    छवि भाग # विवरण
    FDP4D5N10C

    Mfr.#: FDP4D5N10C

    OMO.#: OMO-FDP4D5N10C

    		 MOSFET FET 100V 128A 4.5 mOhm
    FDP4D5N10C

    Mfr.#: FDP4D5N10C

    OMO.#: OMO-FDP4D5N10C-ON-SEMICONDUCTOR

    		 FET ENGR DEV-NOT REL
    उपलब्धता
    स्टक:
    Available
    अर्डर मा:
    4000
    मात्रा प्रविष्ट गर्नुहोस्:
    FDP4D5N10C को हालको मूल्य सन्दर्भको लागि मात्र हो, यदि तपाइँ उत्तम मूल्य प्राप्त गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हाम्रो बिक्री टोली sales@omo-ic.com मा सोधपुछ वा प्रत्यक्ष इमेल पेश गर्नुहोस्।
    सन्दर्भ मूल्य (USD)
    मात्रा
    एकाइ मूल्य
    विस्तार मूल्य
    1
    US$ ५.८०
    US$ ५.८०
    10
    US$ ४.९३
    US$ ४९.३०
    100
    US$ ४.२७
    US$ ४२७.००
    250
    US$ ४.०५
    US$ १ ०१२.५०
    500
    US$ ३.६४
    US$ १ ८२०.००
    1000
    US$ ३.०७
    US$ ३ ०७०.००
    2500
    US$ २.९१
    US$ ७ २७५.००
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