NVD5805NT4G-VF01

NVD5805NT4G-VF01
Mfr. #:
NVD5805NT4G-VF01
निर्माता:
ON Semiconductor
विवरण:
MOSFET NFET DPAK 40V 51A 9.5MOHM
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
NVD5805NT4G-VF01 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
ON अर्धचालक
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
DPAK-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
40 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
51 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
9.5 mOhms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
1.5 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V
Qg - गेट चार्ज:
80 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 175 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
47 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
योग्यता:
AEC-Q101
प्याकेजिङ:
रील
ब्रान्ड:
ON अर्धचालक
फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:
8.54 S
पतन समय:
4.5 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
17.9 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
2500
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
22.9 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
10.2 ns
Tags
NVD5805, NVD580, NVD58, NVD5, NVD
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***Semiconductor
Single N-Channel Power MOSFET 40V, 51A, 9.5mΩ
***et
Trans MOSFET N-CH 40V 51A 3-Pin TO-252 T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
छवि भाग # विवरण
NVD5805NT4G

Mfr.#: NVD5805NT4G

OMO.#: OMO-NVD5805NT4G

MOSFET NFET DPAK 40V 51A 9.5MOHM
NVD5805NT4G-VF01

Mfr.#: NVD5805NT4G-VF01

OMO.#: OMO-NVD5805NT4G-VF01

MOSFET NFET DPAK 40V 51A 9.5MOHM
NVD5805N

Mfr.#: NVD5805N

OMO.#: OMO-NVD5805N-1190

नयाँ र मौलिक
NVD5805NT4G

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MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
1500
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