IPB030N08N3 G

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

इन्फिनोन

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

SMD/SMT

प्याकेज / केस:

TO-263-7

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

80 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

160 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

3 mOhms

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

20 V

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 175 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

214 W

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

व्यापार नाम:

OptiMOS

प्याकेजिङ:

रील

उचाइ:

4.4 mm

लम्बाइ:

10 mm

शृङ्खला:

OptiMOS 3

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 N-Channel

चौडाइ:

9.25 mm

ब्रान्ड:

Infineon टेक्नोलोजीहरू

पतन समय:

14 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

79 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

1000

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

45 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

23 ns

भाग # उपनाम:

IPB030N08N3GATMA1 IPB3N8N3GXT SP000444100

एकाइ वजन:

0.056438 oz

Tags

IPB030N0, IPB030, IPB03, IPB0, IPB