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TK10J80E,S1E

TK10J80E,S1E
Mfr. #:
TK10J80E,S1E
निर्माता:
Toshiba
विवरण:
MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
TK10J80E,S1E डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK10J80E,S1E DatasheetTK10J80E,S1E Datasheet (P4-P6)TK10J80E,S1E Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
तोशिबा
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
प्वाल मार्फत
प्याकेज / केस:
TO-3PN-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
800 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
10 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
700 mOhms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
4 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
30 V
Qg - गेट चार्ज:
46 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
250 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
उचाइ:
20 mm
लम्बाइ:
15.5 mm
शृङ्खला:
TK10J80E
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
चौडाइ:
4.5 mm
ब्रान्ड:
तोशिबा
पतन समय:
35 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
40 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
25
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
140 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
80 ns
एकाइ वजन:
0.245577 oz
Tags
TK10J, TK10, TK1
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Email: info@omo-ic.com

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin TO-3P(N)
***i-Key
MOSFET N-CH 800V TO-3PN
***
MOSFET TRAN TO-3PN(OS)
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
TK10J80E,S1E(S
DISTI # C1S751201055196		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
RoHS: Not Compliant		25
  • 10:$6.5400
TK10J80E,S1E
DISTI # TK10J80ES1E-ND		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-CH 800V TO-3PN
RoHS: Compliant
Min Qty: 25
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 25:$2.7348
TK10J80E,S1E
DISTI # TK10J80E,S1E		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin TO-3P(N) - Rail/Tube (Alt: TK10J80E,S1E)
RoHS: Compliant
Min Qty: 25
Container: Tube		Americas - 0
  • 25:$1.6900
  • 50:$1.5900
  • 100:$1.4900
  • 150:$1.3900
  • 250:$1.3900
TK10J80E,S1E
DISTI # 757-TK10J80ES1E		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
RoHS: Compliant		0
  • 1:$3.1000
  • 10:$2.4900
  • 100:$2.2700
  • 250:$2.0500
  • 500:$1.8400
  • 1000:$1.5500
  • 2500:$1.4700
  • 5000:$1.4200
छवि भाग # विवरण
TK10J80E,S1E

Mfr.#: TK10J80E,S1E

OMO.#: OMO-TK10J80E-S1E

 MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
TK10J80E,S1E

Mfr.#: TK10J80E,S1E

OMO.#: OMO-TK10J80E-S1E-TOSHIBA-SEMICONDUCTOR-AND-STOR

 MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
TK10J80E,S1E(S

Mfr.#: TK10J80E,S1E(S

OMO.#: OMO-TK10J80E-S1E-S-1190

 Trans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
TK10J80ES1E-ND

Mfr.#: TK10J80ES1E-ND

OMO.#: OMO-TK10J80ES1E-ND-1190

 नयाँ र मौलिक
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
5500
मात्रा प्रविष्ट गर्नुहोस्:
TK10J80E,S1E को हालको मूल्य सन्दर्भको लागि मात्र हो, यदि तपाइँ उत्तम मूल्य प्राप्त गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हाम्रो बिक्री टोली sales@omo-ic.com मा सोधपुछ वा प्रत्यक्ष इमेल पेश गर्नुहोस्।
सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
1
US$ ३.१०
US$ ३.१०
10
US$ २.४९
US$ २४.९०
100
US$ २.२७
US$ २२७.००
250
US$ २.०५
US$ ५१२.५०
500
US$ १.८४
US$ ९२०.००
1000
US$ १.५५
US$ १ ५५०.००
2500
US$ १.४७
US$ ३ ६७५.००
5000
US$ १.४२
US$ ७ १००.००
2021 देखि कम आपूर्तिमा अर्धचालकको कारण, तलको मूल्य 2021 अघि सामान्य मूल्य हो। कृपया पुष्टि गर्न सोधपुछ पठाउनुहोस्।
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