UT6J3TCR

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

ROHM अर्धचालक

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

SMD/SMT

प्याकेज / केस:

HUML2020L-8

च्यानलहरूको संख्या:

2 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

P- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

20 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

3 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

60 mOhms, 60 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

1 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

8 V

Qg - गेट चार्ज:

8.5 nC, 8.5 nC

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

2 W

कन्फिगरेसन:

दोहोरो

च्यानल मोड:

वृद्धि

प्याकेजिङ:

रील

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

2 P-Channel

ब्रान्ड:

ROHM अर्धचालक

फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:

4 S, 4 S

पतन समय:

35 ns, 35 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

30 ns, 30 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

3000

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

120 ns, 120 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

10 ns, 10 ns

भाग # उपनाम:

UT6J3

Tags

UT6J3, UT6J, UT6