BUK6D120-40EX

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

नेक्सेरिया

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

SMD/SMT

प्याकेज / केस:

DFN-2020MD-6

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

40 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

5.7 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

120 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

1 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

20 V

Qg - गेट चार्ज:

2.4 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 175 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

7.5 W

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

योग्यता:

AEC-Q101

प्याकेजिङ:

रील

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 N-Channel

ब्रान्ड:

नेक्सेरिया

पतन समय:

3 ns

उठ्ने समय:

8 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

3000

उपश्रेणी:

MOSFET

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

11 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

6 ns

भाग # उपनाम:

934660744115

Tags

BUK6D1, BUK6D, BUK6, BUK